bst1 & bst2 подключены правильно! только повнимательнее надо с посадочными местами, дабы не попутать анод с катодом. на схеме изображено верно.
на счет 8 ампер заряда:
Если Дано 8В вход и выход 12,75В (3хLiIon), то это значит, что ток через катушку будет примерно 13-14А, что для IHLP6767GZER150M11 уже является током насыщения и вцелом крайне НЕХОРОШО.
Если дано 30В вход и выход 12,75В - ток в катухе 8А, скважность примерно 45%,
что в целом как бы намекает, что надо снизить номинал индуктивности где то этак до 2...4 микроГенри для частоты в 250кГц, иначе потери на тепло в индуктивности будут большими. поставить например IHLP6767GZER2R2M11
и уж по чесному - я бы поставил ключи в копрусе минимум DPAK - т.к. они будут в бусте сеять ну так 1,5-2 Вт, что в общем разогреет их хорошо. если нелызет даже в крынку - тоды оставляй эти, вполне хорошие для данного корпуса и своих параметров.
По поводу землю, что ж ты медь то бережешь, заливай везде где есть место землю, я бы на твоем месте не разделял бы впринципе на SGND и PGND, везде сделалбы одну единую землю, просто там, где сигнальные цепи, например брюхо чипа и все, что рядом - сделал бы небольшие CUT-OUT с перемычками. И еще, Вся сила у тебя будет бегать исключительно в контуре CIN-Bridge-COUT, соответственно, если данные компоненты будут сгруппированы как бы в правой половине платы, а контроллер управления чуть левее, то никаких силовых токов около него не будет, им просто нечего там делать. Импульсный ток для переключения ключей я не считаю, т.к. он замыкается как раз на бустрепные конденсаторы и на конденсаторы INTVCC. соответственно эти конденсаторы нужно располагать максимально близко к чипу.
По поводу Кельвин-соединения оно у вас скажем так оформлено через отверстия в падах - передвинте эти отверстия прямо под брюхо резистора, чтобы получилось хотябы так ===||-o o-||===
кельвин дороги не обятательно тянуть как можно короче к чипу, возможно имеет смысл сделать небольшую петлю и отвести их из-под ключей в сторонку и спокойно дотянуть до чипа.
Вообще, если еще не поздно и возможно, то я бы расположил компоненты примерно так
чтобы все импульсные токи бегали исключительно в одной части платы, а контроллер с обвесом стоял в другой.
еще совет дороги до затворов делайте потолще, например миллиметр-полтора, т.к. эта дорога пропускает единицы ампер импульсно и чем она шире - тем лучше.
и еще - забудьте такую плохую привычку какпереходные отверстия в падах - это плохая привычка, особенно если монтаж делать на станке, т.к. паяльная паста просто будет утекать в отверстие.
и еще, компоненты у вас будут довольно горячими, поэтому где возможно, особенно около транзисторов и под индуктивностью - пробивайте больше дырок, чтобы плата могла более эффективно распределять тепло.
Сообщение отредактировал bloody-wolf - Sep 21 2015, 21:13
Проект на LTC4020, помогите понять проблему, LTC4020 - универсальный контроллер заряда аккумуляторов + DC/DC преобр
Sep 15 2015, 08:11
