Цитата(_gari @ Nov 6 2015, 17:02)

мда... похожие картинки видел когда-то у себя
...
был таки поставлен BISS NJT4030, но тоже не понравился, пока не было введено отрицательное смещение -3в
Спасибо за информацию

Собственно в конце к подобному выводу прихожу
Цитата(Ydaloj @ Nov 6 2015, 17:18)

если, конечно, диод, о котором вы говорите, включен не параллельно этим ста омам.
А как этот диод еще может быть включен? Естественно параллельно. Медленно открывание через 100ом, быстрое закрывание через диод
Цитата(Integrator1983 @ Nov 6 2015, 17:31)

Просто параллельно внутренним паразитным? Выкиньте их - ничего они не дадут.
Может быть. Выкинуть никогда не поздно, а вот предусмотреть место для установки уже не всегда

Цитата(НЕХ @ Nov 6 2015, 17:43)

Дадут - мы же выяснили как плохи транзисторы М5-серии !
Новость... Повезло же выбрать именно эти
Продолжаю эксперименты. Собственно получается окончательный вывод в конце.
На скорую руку переделал схему управления, для проверки некоторых дум. Именно так переделал, потому что ее проще всего получить при имеющейся плате - вместо одного резисторов поставил перемычку, а 10 ом воткнул тупо подняв ножку транзистора.
Теперь осциллограмма и наблюдения. Голубая линия - выход полумоста, желтая - выход нижнего драйвера. Примерно за секунду осцилограммы проскочило всего 3-5 импульсов подобных тем, что на фото. То есть такой жести, как в начале топика уже нет
При поджиге дуги фаза резонансного контура крутится, как может и это я забыл учесть. Поэтому на выходе моста проскакивает именно это. В данном случае фаза тока почти совпала с фазой напряжения моста и в дросселе около нулевой ток при выключении транзистора. Это вызывает жесткое переключение. Если посмотреть на первую картинку, то один импульс чистый, а начало второго - ужасно

Потому что транзистор закрывался при почти нулевом токе, а открывается при максимальном токе в резонансном контуре. Так же по наклону синей линии видно, что при открывании транзистора фронт практически вертикальный - 10 ом в затворе же... На второй осциллограмме похожее, только нуля ток в дросселе достиг до включения транзистора. Собственно об это я и говорил, имея в виду повышение dU/dt при повышенном токе - из-за постоянного вращения фазы ток дросселя может увеличивает скорость нарастания импульса или уменьшать его
В общем выводы следующие. Как _gari написал, нужен более мощный PNP транзистор, удерживающий закрытым силовой транзистор. В затворе думаю пока остановиться на 47-100омах на открытие. Базу транзистора буду подключать непосредственно к ИРке - так почти отсутствует всплеск напряжения. Со снабером пока не знаю, буду ли переделывать. Сейчас стоят два конденсатора по 1н, что при токе в 5 ампер в дросселе должно давать что-то около 100нс. Буду переделывать плату