Помогите настроить память, H57V1262GTR-75С Опции

[ilkz]

Друзья, такой затык:
Есть кит DVK600, а к нему платка с чипом H57V1262GTR-75С. Не получается полностью завести память из-под ниос. Если нужно, могу выложить проект.

Собираю систему в Qsys, клок - 50МГц, констрейны кроме derive_pll_clocks и create_clock 50МГц никакие не заданы:




Далее собираю дефолтный проект simple memory test в ниосе:


При тестировании получаю ошибку:



Вычисления показывают, что работает лишь один банк из 4-х.
Из даташита на память мне непонятно какие тайминги нужно задавать в настройках ядра в Qsys и удовлетворяют ли заданные там по умолчанию.
И еще - как корректно законстрейнить память?

[lait33]

Почему конечный адрес получился 1FF_FFFF, а не 7A1 2000- это как раз и будет 128Mbit
Второй вопрос почему на втором скрине в конце получилось 256?
и еще по даташиту
Row Address: RA0 ~ RA11, Column Address: CA0 ~ CA8
Auto-precharge flag: A10

т.е ROW = 12 Column = 9

У вас даже один банк полностью не заполнился. т.к один банк = 32Mbit, а заполнился на 8Mbit.
И по идее тайминги wizzard выставляет сам

[ilkz]

Почему конечный адрес получился 1FF_FFFF, а не 7A1 2000- это как раз и будет 128Mbit

1. А precharge flag не учавствует в формировании адреса? Зачем тогда его включают в адресную шину? Исправил:


Область памяти теперь получилась размером в 16Мбит. Не понимаю почему - ведь в настройках корки указано 128Мбит...
Правильно ли я рассчитываю: 16 бит данных * 2^(12 бит адреса - 1 бит на precharge_flag) * 4 банка = 128 Мбит. Верно же?

У вас даже один банк полностью не заполнился. т.к один банк = 32Mbit, а заполнился на 8Mbit.
И по идее тайминги wizzard выставляет сам

Зато мемтест на этой короткой области памяти заработал: