реклама на сайте
подробности

 
 
> N25Q512A (Micron), Разброс времени программирования страницы
delamoure
сообщение Nov 13 2015, 09:25
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 176
Регистрация: 2-04-08
Из: Днепропетровск
Пользователь №: 36 406



Добрый день.
В сабжевой NOR-флеш памяти указано время программирования страницы из 256 байтов в диапазоне 0,5 ... 5 мс.
От чего может зависеть этот параметр?
Индивидуален ли он для каждой микросхемы?
Изменяется ли со временем?


--------------------
Ребята, как же это вы без гравицапы пепелац выкатываете из гаража? Это непорядок. ©
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
smalcom
сообщение Nov 19 2015, 16:14
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 292
Регистрация: 26-06-07
Пользователь №: 28 718



Вероятней всего это связано с работой внутреннего автомата стирания. Ячейка может не стерется за один раз из-за старения материала диэлектрика. Также при высокой температуре стирание проихсодит быстрее из-за более высоких энергий у электронов.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 17:20
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01352 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016