Согласование в МШУ Опции

[San_r]

Есть задача по разработке приёмного тракта в полосе от 3 до 3,5 ГГц. Естественно необходим МШУ и при этом хочется сделать его на FET транзисторах для собственного инженерного развития.
Опыт проектирования на таких частотах мал (в основном пару сотен МГц). В помощь использую ADS.
Прикрепляю картинку из ADS. В ней МШУ на двух FET транзисторах (Х1 и Х2). Схема, как видно, "сырая". В ней вперемешку дискретные элементы с распределёнными. На входе согласующий ФНЧ, при этом S11 и S22 в полосе порядка -15 дБ. Как только соединяю стоки (d) транзисторов полосковой линией 50 Ом любой длины, согласование рушится!
Вопрос1: нужно согласовать выход Х1 на 50 Ом и вход Х2 на 50 Ом, а потом "слепить" две согласующие цепочки? Или как то по другому? Может кто подскажет хотя бы куда двигаться.
Вопрос2: S11 и S22 = -15д это хорошо или надо обеспечить ещё лучшее согласование.

[arhiv6]

Вопрос1: Напрямую соединять выход первого каскада со входом второго нельзя. Как минимум - у Вас во втором каскаде отсутствуют цепи смещения, разделительный конденсатор. По соглавсованию: нужно или согласовать их на 50ом и тогда соединять, или просто согласовать между собой (активные сопротивления равны, реактивные равны, но с разными знаками).
Вопрос2: S11 и S22 = -15д для МШУ хорошо, но для мшу согласование - вторичный параметр. Первичный - коэффициент шума, для достижения которого согласование скорее всего ухудшится.

[San_r]

Вопрос1: Напрямую соединять выход первого каскада со входом второго нельзя. Как минимум - у Вас во втором каскаде отсутствуют цепи смещения, разделительный конденсатор. По соглавсованию: нужно или согласовать их на 50ом и тогда соединять, или просто согласовать между собой (активные сопротивления равны, реактивные равны, но с разными знаками).
Вопрос2: S11 и S22 = -15д для МШУ хорошо, но для мшу согласование - вторичный параметр. Первичный - коэффициент шума, для достижения которого согласование скорее всего ухудшится.

Напрямую можно. Уточняю тип транзистора: ATF38143. У него отрицательное смещение затвор-исток для установки тока стока. Потенциал на стоке транзистора X1 и потенциал на истоке транзистора Х2 задают рабочий ток истока Х2. Если поставить конденсатор, то необходимо будет отдельно для Х2 задавать напряжение затвор исток. В цепи стоков стоят токовые пробники.
Прикрепляю графики полученных характеристик. В графиках: mu - это мю, то есть коэффициент устойчивости.



Ещё прикрепляю шумы. Чем отличается Nfmin от nf(2) не знаю, не разбирался. Но в примерах проектирования усилителей, которые идут с ADS, именно эти параметры определяют шум.