Цитата(bamgran @ Jan 3 2016, 19:59)

Встречались ли кому-нибудь рекомендации из которых следовало бы принудительно отрывать переходные отверстия от второго полигона GND ?
На частотах выше 10ГГц в описаниях преимущества 10 слоек перед 8 слойками было что-то подобное.
Если вы разделите силовую часть 5В от управляющей 3В по земле - у вас будет лучшая помехоустойчивость в зоне 3В.
Правда у вас слои расположены друг над другом и поэтому имеют бОльшую емкостную связь.
Для уменьшения токов в слоях надо ставить конденсаторы рядом с потребителями тока, замыкая броски на них, ограничивая пути и сопротивление.
Есть работы в которых показано, что верхний экранирующий слой снижает воздействие помехи на второй слой только на 60дБ.
Если вы хотите убрать магнитную составляющую - обкладываёте всё ферритами, помещайте в стальной короб и т.д.
Цитата(bamgran @ Jan 3 2016, 21:16)

На один разъем выходит до 4-5 номиналов, есть рекомендация соотв. им ближайшие выводы земли заводить только на один слой земли, который идет в паре с соотв. слоем питания.
Для меня эта рекомендация в новинку, хотелось знать, имеет ли это какую-либо пользу, либо излишне.
Вы разделяете земли. По одной из них течёт 15А. При сопротивлении между землями в 0.1 Ом разница потенциалов будет 1.5В, при 0.01 Ом - 0.15В.
Надеюсь не диф. сигналов управления и измерения у вас нет.