терминирование DDRII, нужно ли терминировать линии адреса, CAS, RAS, BA итд? Опции

[addi II]

Здравствуйте !

Подскажите пожалуйста новичку в DDR2
Согласно джедеку и спецификаци на память внутри памяти терминированы DQ[], UDQS/~UDQS, LDQS/~LDQS, UDM, LDM послердством On-Die termination
А вот остальные выводы, - A[], BA[], ~RAS, ~CAS, ~WE, CKE, ODT, CK/~CK необходимо самостоятельно терминировать у памяти?

Заранее благодарен!

[Alex11]

Ток в терминаторе может идти в любую сторону, а обычный LDO рассчитан только на отдачу тока. Если Вы попробуете снаружи влить в него тока, то напряжение не будет стабилизироваться, а повысится. А требуется стабильное напряжение. Решается или установкой специализированного источника или дополнительным сопротивлением в землю, причем довольно маленьким, чтобы смогло пропустить через себя выдаваемый ток без существенного подъема потенциала. Но это решение приводит к дополнительным затратам энергии, т.к. если обратного тока нет, то источнику нужно отдавать дополнительный ток в этот резистор.

[addi II]

Ток в терминаторе может идти в любую сторону, а обычный LDO рассчитан только на отдачу тока. Если Вы попробуете снаружи влить в него тока, то напряжение не будет стабилизироваться, а повысится. А требуется стабильное напряжение. Решается или установкой специализированного источника или дополнительным сопротивлением в землю, причем довольно маленьким, чтобы смогло пропустить через себя выдаваемый ток без существенного подъема потенциала. Но это решение приводит к дополнительным затратам энергии, т.к. если обратного тока нет, то источнику нужно отдавать дополнительный ток в этот резистор.

ага..., теперь понятно, а не подскажите как это делает регулирующий терминатор?, мне бы внешнее недостающее поставить а то космического терминатора нет нашел, кроме кирпича от 3Д плюс