реклама на сайте
подробности

 
 
> терминирование DDRII, нужно ли терминировать линии адреса, CAS, RAS, BA итд?
addi II
сообщение Feb 26 2016, 14:32
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 277
Регистрация: 1-02-16
Пользователь №: 90 294



Здравствуйте !

Подскажите пожалуйста новичку в DDR2
Согласно джедеку и спецификаци на память внутри памяти терминированы DQ[], UDQS/~UDQS, LDQS/~LDQS, UDM, LDM послердством On-Die termination
А вот остальные выводы, - A[], BA[], ~RAS, ~CAS, ~WE, CKE, ODT, CK/~CK необходимо самостоятельно терминировать у памяти?

Заранее благодарен!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
krux
сообщение Mar 2 2016, 12:39
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 700
Регистрация: 2-07-12
Из: дефолт-сити
Пользователь №: 72 596



у обычных LDO есть только верхний ключ.
у LDO для формирования VTT есть и верхний и нижний ключи. их ещё называют push-pull LDO.

0.9 вольта от честного импульсника с верхним и нижним ключами для терминации VTT подойдут.
необходимо только обеспечить запас по току. если у вас на питание VDDQ по расчетам выходит 5 ампер, то для VTT необходимо обеспечить половину, т.е. 2,5 ампера.


--------------------
провоцируем неудовлетворенных провокаторов с удовольствием.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st August 2025 - 07:57
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01356 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016