Несколько примитивных вопросов по работе биполярного транзистора Опции

[thamjell]

Хочу задать вам несколько примитивных вопросов, поскольку вроде бы интуитивно они понятны, но хотелось бы чёткого обоснования происходящих процессов в транзисторе.
Транзистор может быть в четырёх режимах - насыщения, отсечки, активный, инверсный активный. Насчёт последнего ничего не знаю и особо не интересовался тем, как он используется, а вот относительно активного режима есть вопросы. При активном режиме в транзисторе (npn или pnp, без разницы) переход база-коллектор закрыт, а переход база-эмиттер открыт. Падение напряжения на открытом переходе база-эмиттер всегда принимается 0.6-0.7 вольт. Указывается ли это в даташитах? Эта величина как-то изменяется в зависимости от тока эмиттера?
Допустим, есть транзистор структуры p-n-p. Работает как источник тока (см. картинку). Если в какой-то момент смещение напряжения на базе будет равно смещению на коллекторе (Vb = Vc), то ток в коллектор пойдёт (или
ж транзистор перейдёт в режим отсечки)?
В продолжение предыдущего. Если подключим светодиод или лазер между коллектором и землёй, которые управляются током, то следует ли ставить в цепь коллектора токозадающий резистор?
На картинке показан источник тока на p-n-p, но разве там не будет сильной зависимости от коэффициента "бета"?
Вроде рекомендуется делать схемы нечувствительными к нему, поскольку он весьма нестабилен.
Ну и насколько стоит доверять SPICE-моделям, можно ли полностью доверять им? (например тем, что используются в OrCAD)

Эскизы прикрепленных изображений

 

[dxp]

Падение напряжения на открытом переходе база-эмиттер всегда принимается 0.6-0.7 вольт. Указывается ли это в даташитах? Эта величина как-то изменяется в зависимости от тока эмиттера?

Конкретная величина падения напряжения на переходе база-эмиттер (Uбэ) сильно зависит от режима работы транзистора (токи, температура), поэтому указывать его в справочнике смысла мало. Для кремниевого транзистора оно колеблется в указанных вами пределах.

Допустим, есть транзистор структуры p-n-p. Работает как источник тока (см. картинку). Если в какой-то момент смещение напряжения на базе будет равно смещению на коллекторе (Vb = Vc), то ток в коллектор пойдёт (или
ж транзистор перейдёт в режим отсечки)?

Вы хотели сказать - в режим насыщения? Переход в режим насыщения - не единомоментное событие, насыщение - оно тоже разное. Для простоты принято считать, что если Uce < Ube, то это режим насыщения. Но надо понимать, что насыщение бывает более (или менее) глубокое. Из глубокого насыщения транзистор выходит дольше.

В продолжение предыдущего. Если подключим светодиод или лазер между коллектором и землёй, которые управляются током, то следует ли ставить в цепь коллектора токозадающий резистор?

Если хотите источник тока, то лучше управлять по току эмиттера, включив его цепь резистор и снимая с него сигнал ОС. Классический вариант - управление с помощью ОУ, который следит за падением напряжения на эмиттерном резисторе.

На картинке показан источник тока на p-n-p, но разве там не будет сильной зависимости от коэффициента "бета"?
Вроде рекомендуется делать схемы нечувствительными к нему, поскольку он весьма нестабилен.

Будет. Поэтому хорошая схема всегда спроектирована так (потому она и хорошая), что слабо зависит от такого "подвижного" и в известной степени непредсказуемого параметра как коэффициент передачи тока. Для этого выбирают такие режимы работы, при которых даже минимально гарантируемое значение "беты" обеспечивает требуемые параметры схемы.

Ну и насколько стоит доверять SPICE-моделям, можно ли полностью доверять им? (например тем, что используются в OrCAD)

Вполне можно в подавляющем большинстве случаев. Нужно только подбирать адекватные модели.