Несколько примитивных вопросов по работе биполярного транзистора Опции

[thamjell]

Хочу задать вам несколько примитивных вопросов, поскольку вроде бы интуитивно они понятны, но хотелось бы чёткого обоснования происходящих процессов в транзисторе.
Транзистор может быть в четырёх режимах - насыщения, отсечки, активный, инверсный активный. Насчёт последнего ничего не знаю и особо не интересовался тем, как он используется, а вот относительно активного режима есть вопросы. При активном режиме в транзисторе (npn или pnp, без разницы) переход база-коллектор закрыт, а переход база-эмиттер открыт. Падение напряжения на открытом переходе база-эмиттер всегда принимается 0.6-0.7 вольт. Указывается ли это в даташитах? Эта величина как-то изменяется в зависимости от тока эмиттера?
Допустим, есть транзистор структуры p-n-p. Работает как источник тока (см. картинку). Если в какой-то момент смещение напряжения на базе будет равно смещению на коллекторе (Vb = Vc), то ток в коллектор пойдёт (или
ж транзистор перейдёт в режим отсечки)?
В продолжение предыдущего. Если подключим светодиод или лазер между коллектором и землёй, которые управляются током, то следует ли ставить в цепь коллектора токозадающий резистор?
На картинке показан источник тока на p-n-p, но разве там не будет сильной зависимости от коэффициента "бета"?
Вроде рекомендуется делать схемы нечувствительными к нему, поскольку он весьма нестабилен.
Ну и насколько стоит доверять SPICE-моделям, можно ли полностью доверять им? (например тем, что используются в OrCAD)

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Jurenja]

Транзистор может быть в четырёх режимах - насыщения, отсечки, активный, инверсный активный.

Инверсный активный режим - это когда в схеме включения коллектор и эмиттер меняют местами. Транзистор способен работать и в таком режиме, т.к. формально области коллектора и эмиттера в материале полупроводника одинакового типа. Режим используется если нужно получить минимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер.