реклама на сайте
подробности

 
 
> Про кратковременную и долговременную температурную стабильность pn-перехода
Tanya
сообщение Aug 3 2006, 09:10
Сообщение #1


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 8 752
Регистрация: 6-01-06
Пользователь №: 12 883



Есть ли у кого-нибудь данные (ссылки) о стабильности реальных диодов (транзисторов), используемых в качестве температурных датчиков? Или о однопереходных транзисторах в том же качестве.
Интересует дрейф за минуту, час, день, месяц.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
upc2
сообщение Aug 4 2006, 04:32
Сообщение #2


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 506
Регистрация: 29-09-05
Из: Донецк
Пользователь №: 9 063



Вопрос интересен тем, что температура ядляется основным фактором нестабильности (дрейфа)
n-p перехода транзисторов. Чтобы получить параметр о кототом вы спрашиваете , необходимо
обеспечить постоянство температуры.Что очень проблематично.Может вы дополните свой вопрос?
Я много занимался исследованиями использования n-p перехода для измерения температуры.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
dinam
сообщение Aug 4 2006, 04:46
Сообщение #3


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 415
Регистрация: 10-06-05
Из: Наукоград Кольцово(Новосибирск)
Пользователь №: 5 898



Лет пять назад меня интересовал этот вопрос и он обсуждался на телесиськах.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 1st July 2025 - 02:58
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01405 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016