Цитата(scifi @ Apr 21 2016, 12:04)

Зависит от того, что вы хотите делать в течение этих сотен миллисекунд. Если что-то нетривиальное, то обнаружите, что половину вашего кода, если не больше, нужно будет размещать в ОЗУ. Причём отделить нужное от ненужного будет ой как не просто.
Кстати, зачем стираете большие сектора? Я для эмуляции EEPROM выделяю 2 сектора по 16 кБайт. Там типичное время стирания сектора 250 мс. В моих применениях программа может подождать 250 мс.
У меня примерно так: Первые два сектора по 16к - загрузчик. Следующие два сектора по 16к - EEPROM. Затем код основной программы. В конце два больших сектора под запись протоколов.
Устройство должно протоколировать все события в системе. Протоколы пишутся во кругу в два сектора. И всё равно когда то наступает момент, когда нужно стереть сектор. Я конечно стараюсь отложить этот момент на время, безопасное со всех точек зрения, но проблема существует.
По поводу того, что именно помещать в ОЗУ, да такая проблема есть, но решаемая. Обычно это прерывания, плюс несколько важных функций.
В нормальном режиме у устройства обмен по нескольким каналам связи со скоростями 5-10кбайт в секунду. Зависание на такое время (сотни миллисекунд) даже визуально проявляется на мониторе связи. Не говоря уже о таких процессах, как управление ШИМ-преобразователем.
Кстати ещё один вопрос: Если во время стирания флэш, произойдёт любое обращение к флэш, то программа зависнет до окончания операции стирания? Или обработка прерывания возможна? Скорее всего, даже для того, чтобы работали прерывания, нужно на время операции стирания исключить любые обращения к флэш. Так?
Цитата(SSerge @ Apr 21 2016, 12:15)

Значит Вам повезло, потому что в папке doc есть файл EWARM_DevelopmentGuide.ENU.pdf.
Там есть описание как работает __ramfunc и какие изменения нужно сделать в конфиге линкера (initialize by copy { section .textrw }; ).
Спасибо, посмотрю. Наверное это то, что мне нужно. Хотя документ известный, вряд ли я мимо прошёл. Может чем то не устроил.