Расчет демпфера для флая Опции

[Wise]

Давно меня занимает вопрос, как правильно рассчитать параметры резисторно – конденсаторной демпферной цепочки для флая. В популярной литературе (у того же Семенова, например) и в различной фирменной документации производителей соответствующих микросхем все достаточно противоречиво. Расчет по разным методикам дает разные результаты. И главное, хочется понять суть , базис расчета.

Кажется справедливым соотношение
P = (L*I^2)/(2*T ) = U^2/R, где
P – мощность , рассеиваемая на демпф. резисторе R,
L – индуктивность рассеяния,
I – амплитуда тока,
U – напряжение на демпф. емкости C,
T – период.

Естественно, принимаем произведение R*C много больше T.
Практически, это самое U есть т. н. «отраженнное» или «наведенное» напряжение плюс вольт 100..130.
Если считать P константой (при заданных L,I,T) и попробовать уменьшить U, уменьшая R, то фиг вам.
При уменьшении номинала резистора R напряжение U не уменьшается, просто увеличивается мощность на резисторе R.
Т. е. демпф. цепь начинает потреблять энергию не только от индуктивности рассеяния, но и от основной обмотки.

Можно и через энергию, которую в течение периода запасает и отдает демпф. емкость, посчитать..
Все это не отвечает на вопрос, что именно мешает уменьшиться напряжению U при уменьшении номинала резистора R, ведь энергия в индуктивности рассеяния L будет гаситься..
А как Вы думаете?

[Bludger]

To Bludger
Позвольте посомневаться в Вашей идее механизма «перекачки» .
Попробую её пересказать своими словами..

Мы же можем выделить в обеих обмотках 100% - связанные части?
Итак, момент выключения идеального ключа.

Вроде как, по определению, ток в 100% - связанной части должен полностью перекинуться во вторичную обмотку, но сперва там должен возникнуть выброс напряжения для преодоления инерции паразитной втор. индуктивности и, быстро нарастающий во втор. обмотке, ток «улизнет» из первичной.
Причем:
процесс нарастания тока во вторичной обмотке есть одновременно процесс убывания его в первичной.
Т. е. не «..только после этого основной магнитный поток начнет работать на выход», а сразу..
И на фига ему заряжать какую-то демпферную емкость, если он и так благополучно убывает..
А после «слива», в первичной обмотке должно возникнуть что-то типа источника ЭДС – «отраженное» напряжение..
К паразитной перв. индуктивности окажется приложенной разность Uref – Uc и ток в ней начнет падать по пиле..

Вот интересно, что делает ток в паразитной перв. индуктивности во время «слива»?
А паразитная втор. индуктивность, должно быть, очень мала?
Тогда и сам «слив» весьма скоротечен..чтобы серьезно влиять на демпфирование..

Нельзя ли последовательно с диодом демпф. цепи поставить токовый датчик, чтобы увидеть процесс заряда демпф. емкости?
Это могло бы навести..

И еще:
удобно «землю» осциллографа (естественно, блок питания «отвязан» от сети) подключать к плюсу электролита и непосредственно измерять Uc демпфера. Не надо связываться со входным..

Как же, мерял ток через кондер, еще вчера-сь.. Никаких там чудес, бросок до амплитуды первичного тока ( у меня 0,85А), и линейный спад. Все по науке...
Индуктивность рассеяния вторички по логике те же проценты, что и у первички, у меня 2,6%, индуктивность вторички у меня 4uH, соответственно, порядка сотни нан - померял - так оно и есть.
Меня смущает нестыкуха в цифрах. Паразитная индуктивность вторички в 100нан зарядится вторичным током в 12А до напряжения 40В за 30нан (что соответствует картинке на осциллоскопе), что составляет 0,3% от выходной мощности 24W, т.е. 72mW. Даже если посчитать, что вся мощность из намагничивания за это время ушла в демпфер, непонятно куда девается еще примерно 250 лишних милливатт...
А нарастание в первичке из-за емкости транса не так несущественно как кажется - если принять емкость транса за 50пик, то до 500В током 0,85А зарядится примерно за те же 30нан, и по идее задержка нарастания тока вообще не должна мешать.
Похоже, что то не так считаю...