Тиристорный эффект industrial микросхем Опции

[dim99]

Кто сталкивался или обладает информацией по применению industrial микросхем для космоса.
Обычно говорят, что по накопленной дозе текущий уровень industrial держит в среднем 5 Крад.

Если говорить о Тяжелых Заряженных Частицах, то на какой уровень пороговых линейных потерь энергии ЛПЭ можно ориентироваться.
Например, интересует OmapL137 и Cyclone III, с какой вероятностью при пороге до 15 МэВ * см2 / мг не будет возникать ТЭ.

Доступ к kosrad есть, но там подобных данных не нашел.

[Sanyao]

ieeexplore да, коммерческий, но в России покупать статьи как-то пока не принято..
есть вариант поискать по названию статьи в гугле - часто копии лежат открыто на сайтах организаций и университетов. Ну и есть еще масса вариантов как скачать с ieee за спасибо... В том числе часть описаны на этом форуме.
dim99, таблица это только типы ионов при испытаниях, а не характеристики схемы. По статье - тиристорного эффекта не обнаружено. Есть отказы при ЛПЭ равном 53. ну и сбои различного вида, в том числе связанные с потерей информации. Вообще отказы для флешей - обычное дело, особенно при ЛПЭ от 20 и выше. Как правило связаны с режимом записи, когда включается внутренний генератор повышенного напряжения. Отказывает функция стирания/программирования. Еще у некоторых типов есть скачки тока потребления (по иностранному Spike). Иногда отказы случаются от них.
yes, и с MRAM (в общем-то, как и с другими схемами ) тоже надо осторожно. Не могу сказать за все MRAMы, но есть сведения для некоторых типов о пороговом ЛПЭ по тиристорному эффекту ниже 7.