Судя по всему, поставленную передо мной задачу не поняли.
Речь идет о разработке дискретного транзистора, т.е. на 1 кристалле - только 1 транзистор, состоящий из нескольких тысяч параллельно включенных ячеек.
Цитата(ST_Dante @ Jun 21 2016, 17:26)

А что такое ДМОП? =)
Параметризуйте ячейку и будет вам счастье. Прям властелином дуги наверное не стать, но парочку типовых моментов обработать можно.
Зачем вам номера GDSII я просто не пойму? Они нужны только фабрике. Так и так без слоев которые вам нужны транзистор не сделать требуемый Вами. Плюс должно быть DRC/LVS.
ДМОП - это технология с двойной диффузией канальной области и истока через одно окно (одну гравировку).
Я предполагал, что по ДМОП-технология широко известна и сразу будет понятно, что речь о дискретном транзисторе.
Естественно, никакая LVS-проверка здесь не нужна.
Правила DRC при отсутствии PDK формурует разработчик топологии. И слои тоже. Разработчик сам задает, какие номера GDSII к какому ФШ относятся.
Потому и спрашивал, как создать слой. Ответ fragment исчерпывающий, но насчет SKILL хотелось бы узнать точнее: Есть ли в нем смысл при условии, что не планируется разработанную "ячейку" кристалла транзистора куда-либо вставлять?
Есть ли способ создать дугу с нормируемыми радиусами с помощью SKILL, если вручную такую дугу создать нельзя?