Высоковольтный ключ на IRGB20B60PD1 Опции

[AndreyVN]

Как думаете, какое количество витков в импульсных трансформаторах в цепях управления затворами?

Как следует из текста, +250В формирует DC/DC, т.е. подпись "+250" на схеме нанесена не в том месте, или это намек на Ктт=1?
По даташиту IRGB20B60PD1 VGE всего-то 20В, если так, то трансформатор понижающий где-то в 12 раз?
Возможно, в импульсном режиме VGE можно завышать, однако в даташите об этом ничего найти не удалось.
Вот полный текст статьи:
 IGBTHV2.pdf ( 550.83 килобайт ) Кол-во скачиваний: 342

[Александр1]

Как следует из текста, +250В формирует DC/DC, т.е. подпись "+250" на схеме нанесена не в том месте, или это намек на Ктт=1?

Надпись "+250", скорее всего, нанесена не там.
А Ктт (К трансформации?) не обязательно =1. Тут расчет трансформатора: число последовательно включенных трансформаторов - U/N=напряжение первичной обмотки одного трансформатора. Для него рассчитываете количество витков в соответствии с длительностью импульсов.
На вторичной обмотке-15-20 В для затвора.
Напряжение источника 250 В - это Ваш выбор, исходя из количества трансформаторов и их параметров.

[AndreyVN]

Надпись "+250", скорее всего, нанесена не там.
А Ктт (К трансформации?) не обязательно =1. Тут расчет трансформатора: число последовательно включенных трансформаторов - U/N=напряжение первичной обмотки одного трансформатора. Для него рассчитываете количество витков в соответствии с длительностью импульсов.
На вторичной обмотке-15-20 В для затвора.
Напряжение источника 250 В - это Ваш выбор, исходя из количества трансформаторов и их параметров.

Что-то тут не чисто...
Разве не проще включить первички трансформаторов параллельно и избавиться от высокого (+250В) напряжения?
К тому-же индуктивность будет меньше, фронты круче.

[gte]

Что-то тут не чисто...
Разве не проще включить первички трансформаторов параллельно и избавиться от высокого (+250В) напряжения?
К тому-же индуктивность будет меньше, фронты круче.

Вероятно, для для более равномерного включения, так как управление токовое.

"Равенство напряжений на затворах IGBT и высокая помехоустойчивость схемы обеспечиваются
включением низкоомных резисторов R параллельно вторичным обмоткам. Они же определяют эффективное выходное сопротивление цепи управления затвора каждого транзистора и, следовательно , быстродействие коммутатора."