microSD задержки при обмене, есть ли способы борьбы ? Опции

[MiklPolikov]

На microSD карту пишется поток данных. Поток непрерывный, буфера RAM нет, карта периодически останавливает обмен на доли секунды.
Интерфейс SDIO 48МГц , на карте FAT32 , библиотека для работы c FAT FATFS.

Вопрос:
Можно ли избавится от задержек в обмене ? Может быть, в современных картах появились какие-то хитрые настройки для этого ? Может быть, есть карты со встроенным буфером RAM ?

Заранее спасибо !

[makc]

По-моему Вы путаете уровни, т.к. спецификация задает параметры карт, видимые для внешнего мира. В т.ч. логическую организацию и систему команд. Но делать из этого вывод о физической структуре и методах работы внутренних алгоритмов карты в корне неверно, т.к. это более низкий уровень, скрытый за упомянутой системой команд.

Число циклов перезаписи современных MLC/TLC NAND Вы знаете, почему же карты живут несколько дольше?
Вот статья 2003 года, отчасти подтверждающая мои слова про наличие механизмов выравнивания износа.

[jcxz]

По-моему Вы путаете уровни, т.к. спецификация задает параметры карт, видимые для внешнего мира. В т.ч. логическую организацию и систему команд. Но делать из этого вывод о физической структуре и методах работы внутренних алгоритмов карты в корне неверно, т.к. это более низкий уровень, скрытый за упомянутой системой команд.

Да я допускаю что внутри там может быть более сложная организация. Я и писал что возможно там есть буферизация потока записываемых блоков (о чём косвенно свидетельствует алгоритм работы команды многоблочной записи).
Но в спецификации это явно не указано! Т.е. - не указано что карта должна это делать. Какой-то конкретный производитель может конечно захотеть и реализовать внутри всё что угодно: и вести статистику использования блоков и даже перемещать самые популярные блоки не только по всему массиву блоков, но и в отдельную память, например FRAM и многое другое.
Но только - зачем ему оно надо? Тратить ресурсы на более сложную разработку, тратить лишние вентили на весь этот механизм, может их лучше потратить на доп. ячейки флешь и сделать бОльшую ёмкость?
Ведь главная цель изготовителя - извлечение прибыли и уменьшение издержек. И если оно не требуется спецификацией, то может кто так и будет делать, то такие карты ТСу ещё найти надо.

Число циклов перезаписи современных MLC/TLC NAND Вы знаете, почему же карты живут несколько дольше?

И что? Число циклов перезаписи не говорит, что по достижении этого значения, блок сразу откажет. Это минимальное число стираний которое блок должен выдержать, а в реале может в разы больше выдержать.
Вот я сейчас разбираюсь с регенерацией SDRAM. Так вот провожу испытания - выключаю регенерацию и измеряю сколько данные продержатся без регенерации. По даташиту регенерацию надо выполнять не реже чем раз в 64мсек, т.е. хранение данных без регенерации более 64мсек не гарантировано.
А в реале (заполняю всю SDRAM 32МБ псевдослучайными значениями и через заданное время проверяю всю целиком) разрушение данных наблюдаю только после отключения регенерации на 3-4 сек и более.
Если на 1 сек отключить регенерацию, то данные 100%-но сохраняются.

[IlyaSergeev]

Некоторое время назад выкладывал мини-отчет по производительности записи на SD в непрофильной теме:
http://electronix.ru/forum/index.php?showt...32833&st=31
Краткий вывод - от задержек в десятки и даже сотни мс не избавиться, но при правильной организации структуры памяти можно радикально уменьшить их количество.