microSD задержки при обмене, есть ли способы борьбы ? Опции

[MiklPolikov]

На microSD карту пишется поток данных. Поток непрерывный, буфера RAM нет, карта периодически останавливает обмен на доли секунды.
Интерфейс SDIO 48МГц , на карте FAT32 , библиотека для работы c FAT FATFS.

Вопрос:
Можно ли избавится от задержек в обмене ? Может быть, в современных картах появились какие-то хитрые настройки для этого ? Может быть, есть карты со встроенным буфером RAM ?

Заранее спасибо !

[Alex11]

Чтобы минимизировать задержки при длительной записи на SD нужно при стирании файлов давать команды trim или erase на карту, в зависимости от того, что она поддерживает. В свежем linux при монтировании можно указать ключом (discard) необходимость использования этих команд. При этом существенно улучшается ситуация с длинными паузами, т.к. карточке не приходится переписывать внутри многократно данные, которые на самом деле уже не используются файловой системой. Это не отменяет необходимости использовать большие блоки для записи (лучше по 16 МБ).

[MiklPolikov]

Показалась интересной мысль про то что карта тратит время на стирание.
Стёр всю карту CMD32 CMD33 CMD38
Задержки не уменьшились

Припоминаю, где то ещё была опция автоматического стирания блока перед записью, или что-то вроде того. Подскажите, где это было ?

[aaarrr]

Стёр всю карту CMD32 CMD33 CMD38

А время стирания не измерили, было ли оно вообще?

Припоминаю, где то ещё была опция автоматического стирания блока перед записью, или что-то вроде того. Подскажите, где это было ?

ACMD23. Мне не встречались карты, на которых эта команда давала бы реальное ускорение записи.

[jcxz]

А время стирания не измерили, было ли оно вообще?

Можно просто считать карту после стирания и проверить.

При этом существенно улучшается ситуация с длинными паузами, т.к. карточке не приходится переписывать внутри многократно данные, которые на самом деле уже не используются файловой системой.

Ещё раз: Где в спецификации SD говорится, что карта что-то там внутри себя переписывает????
Дайте ссылку.

[makc]

Ещё раз: Где в спецификации SD говорится, что карта что-то там внутри себя переписывает????
Дайте ссылку.

Дайте, пожалуйста, ссылку, какую спецификацию Вы имеете в виду. Дело в том, что ранее Вы приводили ссылки на текст Part 1 (Physical Layer Specification) и на мой взгляд совершенно очевидно, что внутренняя структура хранения данных карты лежит за пределами того, что описывается этой спецификацией. Поэтому я и хочу понять, в какой части спецификации SD, по Вашему мнению, задаются методы, алгоритмы и структуры внутренних данных карты.

Но в спецификации это явно не указано! Т.е. - не указано что карта должна это делать. Какой-то конкретный производитель может конечно захотеть и реализовать внутри всё что угодно: и вести статистику использования блоков и даже перемещать самые популярные блоки не только по всему массиву блоков, но и в отдельную память, например FRAM и многое другое.
Но только - зачем ему оно надо? Тратить ресурсы на более сложную разработку, тратить лишние вентили на весь этот механизм, может их лучше потратить на доп. ячейки флешь и сделать бОльшую ёмкость?
Ведь главная цель изготовителя - извлечение прибыли и уменьшение издержек. И если оно не требуется спецификацией, то может кто так и будет делать, то такие карты ТСу ещё найти надо.

Вот именно ради извлечения прибыли и стали усложняться механизмы обеспечения надёжности, в частности методы выравнивания износа ячеек памяти. Т.к. с удешевлением памяти неизбежно стала падать её надёжность, выражаемая в гарантированном числе циклов перезаписи.

И что? Число циклов перезаписи не говорит, что по достижении этого значения, блок сразу откажет. Это минимальное число стираний которое блок должен выдержать, а в реале может в разы больше выдержать.

Вы пробовали или только предполагаете работу блоков памяти после заданного числа циклов стирания?
Второй вопрос: поставьте себя на место производителя карт памяти или флешек - исходя из чего Вы будете назначать гарантийный срок?

Вот я сейчас разбираюсь с регенерацией SDRAM. Так вот провожу испытания - выключаю регенерацию и измеряю сколько данные продержатся без регенерации. По даташиту регенерацию надо выполнять не реже чем раз в 64мсек, т.е. хранение данных без регенерации более 64мсек не гарантировано.
А в реале (заполняю всю SDRAM 32МБ псевдослучайными значениями и через заданное время проверяю всю целиком) разрушение данных наблюдаю только после отключения регенерации на 3-4 сек и более.
Если на 1 сек отключить регенерацию, то данные 100%-но сохраняются.

Прекрасный эксперимент, который говорит лишь о том, что в отдельной точке мирового пространства при имеющихся в ней физических условиях Вы наблюдали описанную картину. В то время как память имеет весьма широкий диапазон рабочих температур и напряжений питания, что означает необходимость обеспечения надёжной работы во всем диапазоне заданных производителем условий. Попробуйте на досуге, проведите эксперимент во всех возможных условиях, а не только на теплом столе. И если при всех этих условиях после отключённой на 1 сек регенерации данных так же 100%-но будут сохраняться, готов буду дальше обсуждать этот вопрос в таком контексте. В противном я не могу считать Ваши слова сколь-либо ценным аргументом.