SDR SDRAM память, Регенерация данных Опции

[Flip-fl0p]

Возник вопрос по SDR памяти в части регенерации.
Вот что нарыл по поводу регенерации( http://www.dsioffe.narod.ru/mysdram/MyMicronSDRAM.htm#top )

Автоматическая регенерация используется во время нормальной работы SDRAM и аналогична регенерации CAS-BEFORE-RAS в обычной DRAM. Эта команда не постоянна, её надо подавать каждый раз, когда требуется регенерация. Перед её выполнением все активные банки должны быть деактивированы. Команда AUTO REFRESH должна быть подана не менее, чем за время tRP после команды PRECHARGE, как показано в разделе описания работы.
Адресация производится встроенным контроллером регенерации. Поэтому при автоматической регенерации состояние адресных входов безразлично.

64 Мб SDRAM требует 4096 циклов автоматической регенерации каждые 64 мс (tREF) независимо от ширины слова. Выполнение команды автоматической регенерации каждые 15625 мкс необходимо и достаточно для полной регенерации всех рядов. В качестве альтернативы 4096 команд автоматической регенерации могут выполняться одним пакетом с минимальным временем цикла tRC каждые 64 мс.

Совсем непонятно что такое автоматическая регенерация, и когда её включать. Какие банки она регенерирует ? Какие строки ?

Так-же неясна фраза

64 Мб SDRAM требует 4096 циклов автоматической регенерации каждые 64 мс (tREF) независимо от ширины слова.

Т.е каждые 64 мс мы запускаем регенерацию. Сначала одну строку, потом вторую .... и.т.д. Доходим до нуля, и снова регенерируем (Мне это напомнило движение единицы в кольцевом сдвиговом регистре). Или это не так ?

Вот эта фраза совсем непонятна

В качестве альтернативы 4096 команд автоматической регенерации могут выполняться одним пакетом с минимальным временем цикла tRC каждые 64 мс.

Можете помочь разобраться ?

[Den64]

Лучше читать с первоисточника. Читайте лучше даташит к вашей микросхеме памяти и апноты.

[Flip-fl0p]

Лучше читать с первоисточника. Читайте лучше даташит к вашей микросхеме памяти и апноты.

Да я читал первоисточник. Там то-же самое написано, только на английском. Мне бы разобраться с этими командами. Чтобы меня навели на мысль, подсказали, где я туплю.
Смысл команды мне ясен - подзарядить конденсаторы. А вот как это правильно делать я не понял. Просто в datashit'е есть картинка как это делать.

В то-же время есть другое требования что время обновления 4096 строк 64 мс. Вот я и пытаюсь понять как происходит рефреш. Зачем нужны эти два требования. Что будет если во время обновления строки туда писать/читать данные. В datashit'е я ответов на эти вопросы не увидел.

Чтобы её включить (если речь идёт о SDRAM подключенной к МК) достаточно в контроллере внешней памяти МК прописать период регенерации. Ну по-крайней мере для LPC1788 это справедливо. Ну и остальные параметры правильно проинитить. Дальше контроллер всё делает сам.


Нет, не так. 64мс - это время, за которое весь чип должен быть регенерирован. Т.е. - если в чипе 8192 строк, то период регенерации должен быть <= 64мс/8192.
Хотя в реальности чип держит данные без регенерации гораздо дольше чем 64мс.


А что непонятного? При чтении данных они одновременно и регенерируются. Т.е. - можно не включать автоматическую регенерацию силами контроллера памяти, а просто программно как минимум раз в 64мс считать данные из всех строк чипа. Именно поэтому в некоторых областях применения памяти автоматическую регенерацию не делают, например - для видеопамяти, так как она и так вся не менее чем раз за один кадр считывается.

Меня вот это вот и смущает

то период регенерации должен быть <= 64мс/8192.

Как я понял, регенерация происходит построчно. В этом случае при таком периоде у нас получиться, что как только мы подзаридили последнюю строку у нас прошло 64 мс. И настало время снова регенирировать первую строку. Тогда зачем дана картинка ? (выложил сообщением ранее).