Использование IGBT в линейном режиме Опции

[Thunderbird]

Имеется задача сделать высоковольтный линейный усилитель с макс амплитудой выходного напряжения до 423В и максимальной выходной мощностью 100Вт. Причем выходной ток при выходных напряжениях ниже 100V RMS может достигать 1А. Диапазон частот DC-5кГц. Рассматривался вариант на высоковольтных mosfet, но они редкие и дорогие (20-25USD за шт), в то же время есть множество дешевых igbt на 1200В. Но мучают сомнения насчет возможности работы IGBT в линейном режиме. Не будет ли происходить при этом локальных перегревов параллельных структур? Даташиты о линейном режиме скромно умалчивают, как впрочем и для мосфетов.

PS Усилитель будет с двухуровневым питанием для облегчения работы транзисторов при низких выходных напряжениях. Нижнее звено питания -+150в, верхнее +-450В, подключаемое ключами при превышением выходным напряжением порога 120В

Сообщение отредактировал Thunderbird - Sep 23 2016, 07:34

[Plain]

В такой объём, если класса D, то канала три у меня бы влезло, с пульсациями 25 мВ, а линейный на IGBT я бы сразу зарезал ещё на этапе ТЭО, потому как тупо нет данных, а то, что есть, всё отрицательное, а значит и не существует такого компонента для такой задачи.