а существуют ли средства оценки (симуляции) EMI от платы?, как подсказка, есть результаты теста - то есть частота помехи известна Опции

[yes]

возникла (неожиданно) задача пройти EMI тест, ну и без подготовки это не получилось (помехи в области >1ГГц)

по результатам измерения - видны гармоники 35dBuV/m, а нужно, в соответствии с профилем, где-то на 10dBuV/m меньше (я не вдаюсь в то, какой тест, по какому стандарту и т.д. - делали это специальные люди со специальными приборами, антеннами, в безэховой камере и т.д. - по моему, в рамках такого вопроса это не важно)

при этом гармоники от процессора достаточно маленькие и удовлетворяют маске, а от ПЛИС не удовлетворяют.
причем у ПЛИС, скорее всего, эта частота присутствует только в ядре, то есть помеха с питания ядра (это мое дилетантское предположение)
ну естественно, большая часть этой цепи - полигон во внутренних слоях, но есть места, где этот полигон идет по торцу платы, ну и соответственно, в источнике и под плисиной выходит на внешние слои

-------------------

можно ли это как-то промоделировать с весьма малыми трудозатратами и низкой квалификацией в RF? ну то есть у меня есть pcb, есть частота, я могу задать какие-то значения тока (предположить все динамическое потребление ядра на этой частоте) и т.д.

собственно - какие софты для этого существуют (if any) ну и стоит ли с этим связываться или задача не для любителя?

-------------------

цель -
1) подтвердить подозрение, что источник помех это питание ядра
2) изменить pcb и проверить - улучшилось или нет

[Uree]

Что интересно в разных источниках под термином SSN имеются в виду разные вещи. В применении к цепям питания это "Simultaneous switching noise (SSN) [1]–[6], also referred in the literature as
I noise or ground bounce, primarily occurs due to very large instantaneous power supply and ground currents propagating within a chip when a large number of transistors are simultaneously switched between on and off states." И симуляция питания такой анализ позволяет сделать. Вопрос только покажет ли она излучения от такой цепи питания. Теоретически должна. Практически не знаю, не встречал такого.

[Aner]

Что интересно в разных источниках под термином SSN имеются в виду разные вещи. В применении к цепям питания это "Simultaneous switching noise (SSN) [1]–[6], also referred in the literature as
I noise or ground bounce, primarily occurs due to very large instantaneous power supply and ground currents propagating within a chip when a large number of transistors are simultaneously switched between on and off states." И симуляция питания такой анализ позволяет сделать. Вопрос только покажет ли она излучения от такой и . Теоретически должна. Практически не знаю, не встречал такого.

м ... да, как то неожиданно от вас такое прочитать. Наверное начитались книг про возвратные токи, излучение на краях полигонов, а там такое пишут про излучение, излучение цепей питания "...мама не горюй!"..

Если бы хоть раз посимулировали в гиперлинксе излучение полиготов цепей питания ваших же плат, тогда точно не писали такое.
Теоретически должна, кому должна? И спрошу что за теории такие? В теор. эл динамике прочитайте условие излучения.
Ну и agregat вам на житейском языке пояснил, неушто не согласны?

Ну и если дальше читать по вашей ссылке, речь о чипе, то есть внутри чипа ... < SSN noise ... of a chip > not of power GND line on PCB
//SSN noise often leads to serious degradation of signal integrity and overall performance of a chip //

-------------------
Мой ответ ТСу.
>цель -
>1) подтвердить подозрение, что источник помех это питание ядра
>2) изменить pcb и проверить - улучшилось или нет

1) не совсем верно, поскольку питание ядра должно быть хорошо отфильтровано. Но цепи питания ядра играют важную роль в переизлучении и создании того самого спектра помех, которое превышает нужные 10dBuV/m. Кстати 35dBuV/m это слишком много, говорит о проблемах в разводки платы.

2) чтобы изменить разводку pcb, нужно знать причину и что менять, и чтобы симулировать процесс тоже нужно иметь знание, иногда о созданых структурах внутри плисины. Поскольку те же делители, синтезаторы, инжины внутри плисины связаны с расположением пинов и подключеных линий соседних структур в соотв. слое. Так часто создаются именно эти перекрестные помехи наводимые на соседнюю трассу при одновременном переключении окружающих трасс, которые к тому же могут быть расположены в неверном слое по отношению к полигону именно цепей питания ядра.