Здравствуйте, уважаемые коллеги! Помогите пожалуйста решить проблему.
Есть кастомная плата с CycloneV и DDR3 (MT41J128M16JT-125). В Quartus II v14.1.0 (64bit) делаю SoC (NIOSII + block ram + hard SDRAM Uniphy controller + внешняя DDR3 + всякая мелочь).
Программа грузится из блочной памяти и должна проверять DDR3 SDRAM. Все вешается при попытке доступа к SDRAM (до этого момента код выполняется из блочной памяти нормально).
Установлено, что контроллер памяти не заканчивает этап калибровки (DDR3 calibration fail).
Сигналы local_init_done и local_cal_success неактивны. Сигнал local_cal_fail активен.
Из положительных моментов:
1) RTL тестбенч сгенерированный QSYS работает с памятью нормально (local_init_done=local_cal_success=1, видны транзакции),
2) PLL контроллера памяти стартует (pll_sharing_pll_locked активен. Контролирую через светодиод).
3) External Memory Interface Toolkit память видит и подключается к ней (значит транзакции на авалоне проходят нормально?). Можно делать ресет памяти (После этого сигнал local_cal_fail становится на мгновение неактивным и потом снова возвращается в активное состояние. Контролирую светодиодом). По результатам репортов External Memory Interface Toolkit фейл происходит на этапе Write Calibration - Per-bit write deskew failure.
Частота работы с памятью 400 МГц. Тайминги брал из пресетов на MT41J128M16HA-125 (на плате MT41J128M16JT-125. Но ведь разница по сути только в типе корпуса?)
Board Settings кастомной платы не известны. Оставил по умолчанию. Сейчас пробую их узнать, но пока информации нет.
Не знаю на сколько это важно, но RZQ резистор IO банка FPGA, к которому подключены выводы DDR, имеет сопротивление 240 Ом.
Вроде все симптомы описал. В аттаче скрины QSYS, репорт External Memory Interface Toolkit, архив с проектом.
Буду очень признателен за подсказки и уделенное время!
Эскизы прикрепленных изображений
DDR3 calibration fail (Cyclone V + Micron DDR3 + Uniphy + NiOS)
Sep 28 2016, 23:06
