Сделать диод из биполярного транзистора Опции

[GetSmart]

Бывает такая необходимость. И интересно насколько в симуляторах модели это делают честно. Прошу специалистов подсказать:
1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база? Что предельное обратное напряжение диода будет равным справочному Uкб, тут вопросов нет.

2. Как лучше сделать диод: с замкнутым переходом БЭ или с неподключённым Э ?

Переход БЭ в качестве диода отпадает из-за низкого обратного напряжения.Вообще, навеяло недавней темой о эмиттерном повторителе и нюансах работы биполярного транзистора. В ХХ на эту тему есть некоторый пробел.

Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 21 2016, 02:55

[Alexashka]

...И интересно насколько в симуляторах модели это делают честно...
1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база?

Однозначно нет. Транзистор будет работать в инверсном режиме, при этом так называемый "коэффициент передачи тока базы" будет гораздо ниже, чем в обычном включении. Проблема в том, что в даташитах трудно найти параметры для инверсного режима, а так думаю симуляторам можно верить, если параметры в модели заданы верно. Ну грубо говоря берем ток коллектора, делим на 5...10 - получаем ток базы, а дальше проверяем что оба тока не превышают соответствующие предельные значения для коллектора и базы.

2. Как лучше сделать диод: с замкнутым переходом БЭ или с неподключённым Э ?

Естественно замкнутые.

[GetSmart]

Однозначно нет. Транзистор будет работать в инверсном режиме, при этом так называемый "коэффициент передачи тока базы" будет гораздо ниже, чем в обычном включении. Проблема в том, что в даташитах трудно найти параметры для инверсного режима, а так думаю симуляторам можно верить, если параметры в модели заданы верно. Ну грубо говоря берем ток коллектора, делим на 5...10 - получаем ток базы, а дальше проверяем что оба тока не превышают соответствующие предельные значения для коллектора и базы.

Чтобы было однозначно, нужны весомые доказательства. С описанием физики процесса.

Работа в инверсном режиме при замыкании БЭ - это верно. Инверсной беты в большинстве справочников/pdf не приводят. По факту может быть (статистически) от 1/5 до 1/100 от прямой беты (у транзисторов вобщем). Очевидно, зависит от конструктива на кристалле. А у однотипных из одной партии какие закономерности/статистика, абсолютные или относительные (от прямой беты), - тоже не встречал какие-то описания.

<<если параметры в модели заданы верно>>. Прямо гора с плечь. В случае судебных разбирательств симулятор будет чист как слеза. А если серьёзно, то мой вопрос подразумевал одновременно и требования к созданию моделей. И какой-то общественный контроль моделей.

Дополнительный вопрос о симуляторах. Анализ работы схемы можно делать при заданной температуре. А есть ли в симуляторах опция симуляции при наихудших/наилучших (с большим разбросом) характеристиках компонентов (минимальных/максимальных бета и прочих в модели) обобщённо всем компонентам сразу ?

---------
Первый вопрос в стартовом посте немного уточню:

1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база (или К-БЭ, если БЭ замкнуты) ?

Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 21 2016, 11:02

[Alexashka]

Чтобы было однозначно, нужны весомые доказательства. С описанием физики процесса.
...
1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база (или К-БЭ, если БЭ замкнуты) ?

Именно на этот вопрос и ответил. К.м.к нельзя. Коллекторный ток ограничивается в том числе с учетом базового тока, который в инверсном включении будет в несколько раз больше. Физику процессов читайте в теме "эмиттерный повторитель", только эмиттер и коллектор по тексту меняете местами

<<если параметры в модели заданы верно>>. Прямо гора с плечь. В случае судебных разбирательств симулятор будет чист как слеза. А если серьёзно, то мой вопрос подразумевал одновременно и требования к созданию моделей. И какой-то общественный контроль моделей.

Да ктож Вам будет гарантировать правильность моделей? Производитель отвечает только за параметры реального транзистора, а модель дается "as is", то бишь как есть. Если важен инверсный коэффициент - проводите контроль сами, или если договоритесь возможно и производитель возьмет на себя такую функцию, хотя сильно сомневаюсь.

Дополнительный вопрос о симуляторах. Анализ работы схемы можно делать при заданной температуре. А есть ли в симуляторах опция симуляции при наихудших/наилучших (с большим разбросом) характеристиках компонентов (минимальных/максимальных бета и прочих в модели) обобщённо всем компонентам сразу ?

В микрокапе есть и давно используем.

А если соединить выводы Б и Э, то ток пойдёт через эмитер несмотря на то что напряжение БЭ равно нулю?

А что в этом такого особенного?