Сделать диод из биполярного транзистора Опции

[GetSmart]

Бывает такая необходимость. И интересно насколько в симуляторах модели это делают честно. Прошу специалистов подсказать:
1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база? Что предельное обратное напряжение диода будет равным справочному Uкб, тут вопросов нет.

2. Как лучше сделать диод: с замкнутым переходом БЭ или с неподключённым Э ?

Переход БЭ в качестве диода отпадает из-за низкого обратного напряжения.Вообще, навеяло недавней темой о эмиттерном повторителе и нюансах работы биполярного транзистора. В ХХ на эту тему есть некоторый пробел.

Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 21 2016, 02:55

[Alexashka]

Если эмиттер не подключать, то весь ток коллектора будет идти через базу, соответственно предельный ток будет ограничиваться максимальным током базы, который для маломощных транзисторов даже не приводится. И к тому же увеличится падение на таком диоде, т.к изза слабого легирования сопротивление базы гораздо выше.

[GetSmart]

соответственно предельный ток будет ограничиваться максимальным током базы, который для маломощных транзисторов даже не приводится.

Там, где не приводится, его можно определить как Iкmax/h21эmin. Iкmax импульсный или постоянный - тоже, видимо, повлияет на импульсный ток базы или постоянный. С указанной скважностью/длительностью.

Без зымыкания БЭ диод будет и более быстрый.

Тема инверсного режима биполярного транзистора была достойной ХХ. Жаль, что её там нет.
Нюансы, которые полезно знать. И где спрятаны грабли.

Herz, криминала у меня не было. Выглядит всё как ложное срабатывание.

Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 23 2016, 03:26

[Alexashka]

Там, где не приводится, его можно определить как Iкmax/h21эmin.

И получите копейки. Лучше всё же использовать те, для которых указывается, например BC847/846. У второго кстати Iбmax=Iкmax, правда дают только импульсный, но хоть чтото.

Без зымыкания БЭ диод будет и более быстрый.

Это да, но емкость коллекторного перехода обычно гораздо меньше (чем эмиттерного), плюс в инверсном включении ток базы будет в разы больше (если не на порядок), а значит рассасывание в базе тоже будет происходить быстрее .
Но...всё зависит от конкретной задачи.

[GetSmart]

Дополню, иначе непонятно относительно чего

Это да, но емкость коллекторного перехода обычно гораздо меньше (чем эмиттерного), плюс в инверсном включении ток базы будет в разы больше (если не на порядок), а значит рассасывание в базе тоже будет происходить быстрее .

быстрее диода с замкнутым КБ. А не диода со свободным Э. (так предполагаю) А в книжке "Основы микроэлектроники. 1991" говорится, что самый быстрый диод из перехода БЭ с неподключённым К. Но физику там не проясняют. Диод с замкнутыми КЭ там назван самым медленным. Ясной картины из той информации не складывается. И её там очень мало. Есть опасения, что болтающийся пин за счёт утечек и ёмкостей может "гулять" и управлять.
(выше обновил!)

2 krux
Кажется участник SM когда-то писал, что симулятор вообще не обязан знать что такое ОЭ, ОК и ОБ. Ну а с моделями мне было любопытно что туда закладывают, если производитель такие нестандартные характеристики сам (вероятно) не обмеряет и не документирует. В таких условиях разброс недокументированных характеристик в модель нужно закладывать с большим запасом.

Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 23 2016, 13:32

[Alexashka]

быстрее диода с замкнутым КБ. А не диода со свободным Э. А в книжке "Основы микроэлектроники. 1991" говорится, что самый быстрый диод из перехода БЭ с неподключённым К.

Вот это кстати вопрос. Диод с КБ-Э (с замкнутым база-коллектор) по идее должен быть быстрее, т.к транзистор там в активном режиме по сути, и обладает минимальным прямым падением напряжения, а значит и избыточный заряд там меньше.
Про неподключенный К -может это както связано с эффектами подложки? Вы не могли бы привести скриншот из книги с объяснением что и как?