Сделать диод из биполярного транзистора Опции

[GetSmart]

Бывает такая необходимость. И интересно насколько в симуляторах модели это делают честно. Прошу специалистов подсказать:
1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база? Что предельное обратное напряжение диода будет равным справочному Uкб, тут вопросов нет.

2. Как лучше сделать диод: с замкнутым переходом БЭ или с неподключённым Э ?

Переход БЭ в качестве диода отпадает из-за низкого обратного напряжения.Вообще, навеяло недавней темой о эмиттерном повторителе и нюансах работы биполярного транзистора. В ХХ на эту тему есть некоторый пробел.

Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 21 2016, 02:55

[GetSmart]

скрин из книги "Основы микроэлектроники. 1991"

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Alexashka]

скрин из книги "Основы микроэлектроники. 1991"

Скачал эту книгу (Аваев, Наумов, Фролкин 1991) но там совсем другой текст, хотя картинка с транзисторами та же.
Посмотрел еще одну книгу "Электроника", Шишкин А.Г, Шишкин Г.Г., Москва 2009. Вот выдержки из нее:


Подытоживая можно сказать, что лучшее по быстродействию - это включение БК-Э.
Б-Э имеет в 5 раз хуже время восстановления, но не требует создания дополнительной коллекторной области и занимает меньше площадь в кристалле, поэтому также часто используется в качестве диода в микросхемотехнике.

Более высоковольтный диод получается при использовании включений БЭ-К и Б-К. И что интересно время восстановления у БК-Э (50 нс) меньше, чем у Б-К (75 нс) и совпадает с временем восстановления низковольтного Б-Э.