ячейка статической синхронной памяти, потребление?, имеет ли смысл отключать CLK для power-saving? Опции

[yes]

вот есть такая табличка (в сгенеренной артизан-компилером доке)

AC Current1 0.232
Read AC Current 0.201
Write AC Current 0.264
Peak Current 1031.000
Deselected Current(2) 0.044
Standby Current(3) 0.029

потребление в милиамперах при тактовой 1МГц

2 Value assumes SRAM is deselected, all addresses switch, and 50% of input pins switch. The logic-switching component of deselected
power becomes negligibly small if the input pins are held stable by externally controlling these signals with chip select.
3 Value is independent of frequency and assumes all inputs and outputs are stable.

меня собственно интересует разница между deselected (CEN=1) и standby
достаточно ли держать все пины (ADDR, DIN) кроме CLK для того, чтобы power becomes negligibly small или для того чтобы попасть в Standby нужно отключить CLK???

если память работает на 200МГц, то Deselected Current = 200*0.044=8.8мА, а standby 0.029 мА - при наличии 20 таких памятей разница весьма большая...

[SM]

вот есть такая табличка (в сгенеренной артизан-компилером доке)

AC Current1 0.232
Read AC Current 0.201
Write AC Current 0.264
Peak Current 1031.000
Deselected Current(2) 0.044
Standby Current(3) 0.029

потребление в милиамперах при тактовой 1МГц

2 Value assumes SRAM is deselected, all addresses switch, and 50% of input pins switch. The logic-switching component of deselected
power becomes negligibly small if the input pins are held stable by externally controlling these signals with chip select.
3 Value is independent of frequency and assumes all inputs and outputs are stable.

меня собственно интересует разница между deselected (CEN=1) и standby
достаточно ли держать все пины (ADDR, DIN) кроме CLK для того, чтобы power becomes negligibly small или для того чтобы попасть в Standby нужно отключить CLK???

если память работает на 200МГц, то Deselected Current = 200*0.044=8.8мА, а standby 0.029 мА - при наличии 20 таких памятей разница весьма большая...

Надо разгребать CDL этой памяти (или еще что-то transistor level). И смотетрь как сделаны усилители считывания. Дело в том, что ячейка памяти как правило асинхронная, и ей эти клоки на дух не нужны. А клоки клочат усилители, дешифраторы, мультиплексоры, формирователи и прочую динамическую шнягу, висящую вокруг. В общем сама матрица ест только в момент записи, когда перекидывается состояние ячейки, проходит сквозняк небольшой. При чтении - только емкостные дела - разряд строки, которая была выбрана и заряд свеже-выбранной.

А еще лучше - погонять этот блок памяти в спайсе, да и посмотреть, что там жрет, сколько и при каких условиях.