Методы борьбы с паразитной индуктивностью, при переходных процессах, mosfet, для тока 1000-3000А Опции

[jeka]

Отстраиваю силовой модуль, феты IRFP4468 (100v, 180A avalanche current, 1100A peak current, avalanche energy ~500mJ).
Схема - классический мост, т.е. 2 ключа - с плюса и с минуса, 3 фета параллельно.
Хочется добиться хорошего КПД => высокой скорости переключения. Сейчас упёрся в то, что при быстром закрытии ФЕТа, если рабочий ток на фазе более 1200А, на ФЕте образуется всплеск высокого напряжения из-за того, что он закрывается слишком быстро, а индуктивность цепи между плюсовым и минусовым ФЕТом мешает току быстро перетечь с только что закрытого фета на противоположный.
Решения, которые я вижу, следующие:
- поставить больше ФЕТов параллельно, чтоб ток лавинного пробоя распределялся - сильно увеличит стоимость и габариты, вообщем плохой вариант.
- перекомпоновка платы с целью минимизации индуктивности силовых дорожек к транзисторам - вариант, возможно кто предложит более правильную компоновку с сохранением технологичности сборки?
- увеличить время закрытия транзистора до безопасного - это понятно, но нагрев хочется минимизировать. Текущее время безопасного переключения 600-900нс - как-то многовато для хорошего КПД.
- поставить близко к транзисторам что-то наподобие трансила или диода с большим током лавинного пробоя, который сможет поглотить этот импульс. Хорошее решение, но не знаю такого компонента, чтоб дешево и сердито было? Трансил думаю пробьет сразу, диоды на такой ток дорогие получаются. Может что еще есть?
- поставить дополнительную емкость сток-исток, которая будет частично эту энергию забирать на себя. Недавно этот вариант придумал, надо просчитать-помоделировать-проэесперементировать. Возможно хорошее решение.

Может что-то знает/пробовал какие-либо другие решения?

п.с. прикрепляю 2 фотки. Компоновку платы (силовые дорожки проложены массивными шинами)
Вторая - осциллограмма момента пробоя. Желтый - напряжение затвора, синий - напряжение сток-исток.
Собственно момент пробоя - когда напряжение после плавного возрастания до 120 вольт резко падает. Снял осциллограмму тока на фазе, но там ничего интересного. Осциллограмму динамики изменения тока на транзисторе не снял, но планирую.

[Ваня Цаберт]

jeka, тебе многослоечку бы. токи токовой трассы и возвратной противоположны, это минус две взаимные индуктивности к индуктивности контура (индуктивность прямой трассы + индуктивность возвратной). взаимная индуктивность проводников увеличивается при уменьшении расстояния между ними.

уменьшать индуктивность уширением трассы канает только для очень коротких проводников. это даже чёрный маг джонсон обстёбывал: если хочется уменьшить индуктивность протяженной трассы в двое, ширину трассы придется сделать размером с плату.

[jeka]

jeka, тебе многослоечку бы. токи токовой трассы и возвратной противоположны, это минус две взаимные индуктивности к индуктивности контура (индуктивность прямой трассы + индуктивность возвратной). взаимная индуктивность проводников увеличивается при уменьшении расстояния между ними.

Это понятно. но силовая цепь - это не плата, а медные шины поверх платы. Ибо дорожками при всем желании не проведешь такие токи в компактном исполнении - выгорит сразу. Американцы извернулись - сделали на нескольких слоях с толстой медью параллельные дорожки, и модуль очень широкий. В итоге суммарная ширина силовой дорожки сантиметров 20-30 наверное. Но здесь требование модуль компактным сделать.

Хотя тоже хорошее предложение - сделать шины пошире и потоньше, друг на друге и с минимальным зазором.

zato4nik, огромное спасибо за ссылку. Некоторые вещи упустил. Как минимум про ориентацию электролитов не подумал.

Вообще, появилась в голове идея проследить по силовой цепи осциллографом - на каких участках какие всплески напряжения появляются, от одного до другого транзистора. В целях образования, чтоб прочувствовать, где какая индуктивность добавляется.