Как работает данный драйвер MOSFET Опции

[sergey_sh]

Подскажите пожалуйста, как работает драйвер MOSFET изображенный на рисунке а).


Я понимаю как работает драйвер на рисунке б). При подаче на базы pnp и npn транзисторов положительного напряжения открывается npn-транзистор, а pnp закрывается. При подтягивании баз pnp и npn транзисторов к земле npn-транзистор закрывается, а pnp, наоборот открывается.

В схеме же а) что при подаче положительного напряжения на базы биполярных транзисторов, что при подаче нуля, ни один транзистор по идее открываться не должен - нет пути для протекания базового тока (сопротивление затвора полевого транзистора очень велико). Тем неменее во многих статьях про драйверы полевых транзисторов приводится именно схема на рисунке а). Как она работает? В чем ее преимущество перед схемой б)?

Подскажите где можно почитать про данное включение коммплементарной пары транзисторов.

[Herz]

В схеме же а) что при подаче положительного напряжения на базы биполярных транзисторов, что при подаче нуля, ни один транзистор по идее открываться не должен - нет пути для протекания базового тока (сопротивление затвора полевого транзистора очень велико). Тем неменее во многих статьях про драйверы полевых транзисторов приводится именно схема на рисунке а). Как она работает? В чем ее преимущество перед схемой б)?

Подскажите где можно почитать про данное включение коммплементарной пары транзисторов.

Схема а) - классический двухтактный эмиттерный повторитель и предпочтительней второй схемы именно потому, что транзисторы не заходят в насыщение - быстродействие максимально. Все пути для протекания токов есть, учитывая емкостной характер нагрузки. Где почитать? Да хоть в "Искусстве схемотехники" т.1 §2.16 (Двухтактные выходные каскады). Да и в любой книге по работе транзисторов.

[sergey_sh]

...Все пути для протекания токов есть, учитывая емкостной характер нагрузки. Где почитать? Да хоть в "Искусстве схемотехники" т.1 §2.16 (Двухтактные выходные каскады). Да и в любой книге по работе транзисторов.

В том то и дело, что данная схема (рисунок а)) приводится много где, но конкретного описания протекания токов и падения напряжений я так и не нашел (в том числе в книге Искусство схемотехники).
В схеме б) действительно нужно ставить отдельные базовые токоограничивающие резисторы чтобы она работала. Несмотря на то что эта схема заходит в насыщение при большом базовом токе и в момент переключения через оба транзистора (пока один еще не полностью закрылся, а второй не полностью открылся или вообще уже полностью открылся) протекает сквозной ток, схема проверена на практике - она работает. Она действительно схеме КМОП только в биполярном исполнении (при использовании раздельных базовых резисторов). Поправляю рисунок:

В схеме а) путь протекания базовых токов транзисторов замыкается через емкость затвора управляемого полевого транзистора. По мере заряда емкости затвора базовый ток через верхний транзистор будет уменьшаться, а следовательно верхний транзистор начнет закрываться. Допустим что напряжение управления поступающее на базы биполярных транзисторов имеет ту же амплитуду, что и напряжение на коллекторе верхнего транзистора (которое и подается через переход коллектор-эмиттер верхнего транзистора на затвор полевика) - назовем его просто напряжением питания. До какого напряжения зарядится емкость затвора? До напряжения питания минус минимальное напряжение база-эмиттер верхнего транзистора?

Схема а) - классический двухтактный эмиттерный повторитель и предпочтительней второй схемы именно потому, что транзисторы не заходят в насыщение - быстродействие максимально...

Насыщение транзисторов влияет только на время задержки открытия/закрытия управляемого транзистора. Это важный параметр только в случае обратной связи (например, если данный драйвер используется в импульсном источнике питания - чем больше задержка в схеме обратной связи тем больше ошибка в регулировке выходного напряжения). Если же обратной связи нет, то зная время задержки его можно учесть подавая управляющий сигнал заранее. В случае отсутствия обратной связи на первое место выходит скорость открытия и закрытия управляемого полевика. Вот мне и не понятно какая из схем даст лучшие фронты на выходе полевика. Промоделировать бы эти схемы на скорость переходного процесса, но к сожалению не знаю такой САПР, которая более-менее моделирует ключевой режим транзистора по SPICE-модели. Уважаемые знатоки подскажите САПР который нормально моделирует процесс переключения транзисторов по SPICE-модели (чтобы можно было все характеристики импульса посмотреть - фронты, неравномерность вершины импульса).