Усилительный буферный каскад, Sin/2.4V/12kHz/0.6А Опции

[Konrad]

Здравствуйте, коллеги.

Мне необходимо разработать усилительный буферный каскад, на вход которого с ЦАП микроконтроллера будет приходить смещенный на 1.65 В синус амплитудой 1.4В частотой 12кГц. На выходе при этом должен быть синус 3.4В (амплитуда), ток нагрузки до 0.9А (амплитуда).
Ситуацию осложняет то, что в схеме должна использоваться только отечественная специальная элементная база, и устройство должно работать при температурах -55...+100 град, что для меня ново.

Усиление по напряжению я решил сделать на ОУ, по току с помощью двухтактного каскада работающего в режиме АБ. Дабы обеспечить приемлемое тепловыделение на буферных транзисторах, я решил поставить их аж 8 штук. При таком количестве моделирование показало, что на каждом транзисторе выделяется примерно 0.3 Вт, что допустимо, если использовать радиаторы. Конфигурация получилась примерно вот такая:


Источник тока на VT1 будет давать 3мА.
Сложность в том, что более менее приличные транзисторы npn есть (важны ток, мощность, быстродействие и коэффициент передачи) - 2Т630Б, например, а таких же pnp нет. И в пару 2Т630Б пришлось взять более медленный 2Т880А. И насчет 2Т880А меня мучают сомнения - не уверен, что с ним всё будет нормально работать.

Посомневавшись я перерисовал схему применив для нижних транзисторов включение Шиклаи:


В итоге не могу решить, как лучше. Может и так и так плохо... Коллеги, покритикуйте эти два варианта.

Сообщение отредактировал Konrad - Jan 12 2017, 09:31

[NeonS]

Класс Д усилитель - вполне здравая мысль при Ваших условиях температур. Реализация несложная, а полевые транзисторы отечественного производства для таких токов найти можно. Вы не упомянули ничего о допустимых искажениях.

[Konrad]

Класс Д усилитель - вполне здравая мысль при Ваших условиях температур. Реализация несложная, а полевые транзисторы отечественного производства для таких токов найти можно. Вы не упомянули ничего о допустимых искажениях.

Я пока работаю без ТЗ, делаю проработку, ТЗ на подходе... Имхо, искажений должно быть как можно меньше. Скажем так, судя по осциллографу, на глаз, это должен быть чистый синус. Простите за такое определение)

А что касается класса Д... Никогда не делал ничего подобного, но если я правильно понимаю, нужен ШИМ >200к. Как я уже сказал, никогда не делал схем на MOSFET на такой частоте... Если есть, что посмотреть на этот счет, подскажите, буду благодарен...

[Guest_TSerg_*]

Имхо, искажений должно быть как можно меньше. Скажем так, судя по осциллографу, на глаз, это должен быть чистый синус. Простите за такое определение)

Это уровень 1..3%.
При частоте 12 кHz легко достигается на ШИМ контроллере при частоте >200 кHz.