Block RAM на VHDL в Spartan3, Could not implement Block RAM. Is the read address registered using th Опции

[Vadim_nsk]

При описании памяти как массива производится чтение и запись по разным адресам, при этом чтение производится ассинхронно, а запись синхронно.
При объявлении массива указываю атрибут:
attribute syn_ramstyle : string;
attribute syn_ramstyle of data_array_1 : signal is "block_ram";--"no_rw_check";

При этом Synplify Pro 8.4 в отчете выдает следующее сообщение:
Could not implement Block RAM. Is the read address registered using the same clock as the RAM?

Код примерно следующий:

entity name is
clock : in std_logic;
din : in signed( 15 downto 0 );
write : in std_logic;
dout : out signed( 15 downto 0 );
...
end name;

architecture name_body of name is

subtype data_type is signed( 15 downto 0 );
type data_array_type is array( 0 to 7 ) of data_type;
signal data_array_1 : data_array_type := ( others => to_signed( 0, data_type'length ) );
signal data_array_2 : data_array_type := ...;
attribute syn_ramstyle : string;
attribute syn_ramstyle of data_array_1 : signal is "block_ram";--"no_rw_check";
attribute syn_ramstyle of data_array_2 : signal is "block_ram";--"no_rw_check";

signal rd1_addr, wr1_addr : unsigned( 2 downto 0 ) := to_unsigned( 0, 4 );
signal rd2_addr, wr2_addr : unsigned( 2 downto 0 ) := to_unsigned( 0, 4 );
signal A, C : data_type := to_signed( 0, data_type'length );

body

A <= data_array_1( to_integer( rd1_addr ) );
C <= data_array_2( to_integer( rd2_addr ) );

process( reset, clock )
begin
if reset = '1' then
A <= to_signed( 0, data_type'length );
C <= to_signed( 0, data_type'length );
rd1_addr <= ...;
wr1_addr <= ...;
rd2_addr <= ...;
wr2_addr <= ...;
...
elsif rising_edge( clock ) then
dout <= A * C;
if write = '1' then
data_array_1( to_integer( wr1_addr ) ) <= din;
end if;
rd1_addr <= rd1_addr + 1;
wr1_addr <= wr1_addr + 1;
rd2_addr <= rd2_addr + 1;
end if;
end process;

end name_body;

Как нужно описывать RAM в виде массива, чтобы Synplify сделал из него BlockRAM?

[qwqw]

насчет ошибки я не согласен, если посмотрите в примерах там сделано аналогично.
Да и раньше я делал такую память(только с одинаковой разрядностью) и все благополучно паковалось в BRAM.

Для вас есть вариант - объединить 4 синтезированных блока xxx_S8_S8 способом, который я описал выше, хотя, вам же по 8-разрядному порту не надо читать - так что это и не нужно. С двумя блоками фокус не пройдет - выравнивание поедет (PORTB(x) /= PORTA(x*4+3) & PORTA(x*4+2) & PORTA(x*4+1) & PORTA(x*4)).

я уже сделал, как говорил выше: каскадировал 2 блока RAMB4_S4_S16 и как раз получается 8/32
и глубина 1024. Соответственно 1-й RAMB4_S4_S16 - на вход младшая тетрада на 2-й - старшая
и выход разобран соответствующим образом.
Все работает и в BRAM упаковалось. Однако камень предкновения во фронтах.
Если не получится с положительными сделать, придется тратить GBUF с CLKDLL (брать противофазный клок), а с ними тоже напряг.