работа транзистора с ОЭ, немного теории Опции

[Метценгерштейн]

Еще раз перечитал о работе транзистора, стал задаваться вопросом- как происходит, что при схеме с ОЭ (n-p-n возьмем для примера), при подаче тока в БЭ, электроны из Э идут не только в Б, но и в К потекли? Какая физика происходит на переходе КБ, что электроны и в К текут? Как бы поле тоже положительное, как и у Б, более высоковольтное, поэтому они текут в К. Так что -ли? А зачем коллектор делать из полупроводника? Нельзя ли сделать из металла? Там еще больше свободных электронов?
Не могли бы как-то попонятней объяснить этот момент?

[Метценгерштейн]

ну т.е. я в точку попал- ясности как и у меня, ни у кого нет )))
база тонкая- да, но это только облегчает задачу перехода в коллектор из базы. Была бы толще, нужно было бы напряжение побольше, скорее всего. Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

[V_G]

Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

Как раз базу тонкой делают специально, чтобы концентрация неосновных носителей вблизи коллекторного перехода была выше. Чем тоньше база, тем больше этих носителей, эмиттированных из эмиттерного перехода (пардон за тавтологию), перейдет в коллектор, тем больше коэффициент усиления транзистора. Если база толстая (или вы пытаетесь сделать транзистор из двух диодов), то носители уйдут в базовый электрод.
И по площади: эмиттерный переход сейчас стараются сделать возможно большей площади, и с меньшим падением напряжения вдоль перехода, особенно у мощных ВЧ транзисторов (фактически там многоэмиттерный транзистор), с той же целью: инжектировать в область базы по возможности больше неосновных носителей.
Не знаю, учат ли этому радиоинженеров в современных вузах, но это основы...