Цитата
Xilinx пишет, что лучше плейны питания/земли размещать поближе к слою установки - чтобы глубина части переходного от топа до плейнов была поменьше, а конденсаторы ставить по периметру тоже на топе. Де, такая конфигурация выгоднее, чем ставить конденсаторы под микросхемой, т.к. в этом случае индуктивность соединений будет значительно больше из-за переходных, которые будут в полную толщину платы, нежели в случае "короткая часть переходного + плейн".
Как бы да, но это зависит от геометрии переходного- при этом:
Цитата
Как на картинке выше- там иная ситуации. Один конденсатор на много. И внутренние Ball питания получаются не только самыми дальними, но еще и складываются с токами от ближних.Как на картинке выше- там иная ситуации. Один конденсатор на много. И внутренние Ball питания получаются не только самыми дальними, но еще и складываются с токами от ближних.
На картинке выше ELIC, при этом и PDN в порядке- т.е индуктивность вообще минимально достижимая в принципе. Под планкой ддр3 на обратной стороне находится точно такая же планка ддр3 с такой же разводкой.