Требуется, во-первых, не терять лишнего при разряде, а во-вторых, обмануть зарядное, подсовывая ему под действием зарядного тока большее напряжение, чем есть на самом деле.
Соответственно, первое реализуется схемой заведомо идеального, т.е. отключаемого при обратном смещении, диода на любом подходящем автообнуляемом ОУ и PMOS, т.е. готовые стандартные микросхемы не подойдут, а второе — стабилизатором требуемой добавки на таком же ОУ и том же PMOS. И поскольку малопотребляющие схемы тугие, паразитный диод транзистора требуется зашунтировать внешним встречным диодом.
|