Как измерить падение напряжения на "верхнем" FET ключе?, Ликбез Опции

[Hale]

есть схема импульсной накачки индуктивности, управляется верхним n-MOSFET ключом.
Напряжение накачки +24 В, напряжение логических схем +5 В. Отрицательных источников нет, общая земля.

Пока ключ открыт, падение на нем меняется от нуля до 30 мВ (24-23.97V), пропорционально току. Когда закрывается, прыгает до 25В, пока не устаканится за пару мс.
Как проще измерить это 30мВ падение в логическом диапазоне 0-5 В с защитой от 25В (на уровне тех же десятков мВ), не отрываясь от общей земли?

Сообщение отредактировал Hale - Apr 21 2017, 05:11

[HardEgor]

Обычный ОУ с ограничением даст разницу между напряжениями на выводах MOSFET.

[Hale]

Обычный ОУ с ограничением даст разницу между напряжениями на выводах MOSFET.

обычный не пойдет.
вход не может быть больше чем Vs+0.3~0.5V.

Но я уже нашел решение. TI INA210(...215 с разными Gain). SPICE модель INA210 тоже есть, не зашифрованная (Для 21x надо внутри заменить номиналы калибровочных резисторов).
Но INA21x не отсекает высокое напряжение. Хотя и написано "измеритель тока", фактически все еще просто диф-усилитель. Т.е. мерять Vgs напрямую не нехорошо. Придется искать мощные измерительные резисторы 0.2 Ом.

Сообщение отредактировал Hale - Apr 21 2017, 08:14

[Tanya]

обычный не пойдет.

Google - current shunt monitor