Как измерить падение напряжения на "верхнем" FET ключе?, Ликбез Опции

[Hale]

есть схема импульсной накачки индуктивности, управляется верхним n-MOSFET ключом.
Напряжение накачки +24 В, напряжение логических схем +5 В. Отрицательных источников нет, общая земля.

Пока ключ открыт, падение на нем меняется от нуля до 30 мВ (24-23.97V), пропорционально току. Когда закрывается, прыгает до 25В, пока не устаканится за пару мс.
Как проще измерить это 30мВ падение в логическом диапазоне 0-5 В с защитой от 25В (на уровне тех же десятков мВ), не отрываясь от общей земли?

Сообщение отредактировал Hale - Apr 21 2017, 05:11

[Hale]

"Помнится, в тот корпус размером с iPhone Вы тогда планировали засунуть аж некий плоский аккумулятор"
Plain, да, следуя вашему настоянию делать через литиевый бэкап.
" я Вам тогда предложил литиевый элемент," литиевый конденсатор, он же суперконд, один из типов ионисторов.
Сейчас делают очень компактные суперконденсаторы, размером меньше мини-SD карточки. Но размещение в плоскости нескольких каскадов милливаттных контроллеров запускающих полутораваттные контроллеры, как еще советовали делает всю затею нелепо толстой.
Я вообще не понимаю, какое это отношение к топику это имеет. Но если вам так необходима моя мотивация - у меня есть упаковка этих панелей. И из них можно было бы сделать неплохой сувенирный девайс. Но как вы видите, компоненты не обеспечивают простоту реализации. За год переехал и сменил работу, уже не до этого. Хотя панели до сих пор валяются. И если бы было время и КомпактноЕ решение, можно было бы для себя что-то придумать.

"Повторю вышесказанное — Вам в частности представлено готовое решение за 150 рублей с разрешением 0,1%, а"
Вы меня с такой верой убеждаете в единой истинности. А я, если честно, удивлен. Я попробовал моделировать зарядку-разрядку; относительная точность по амплитуде получалась раза в два с половиной ниже чем отслеживание времени разряда прецизионным компаратором. Впрочем, это от L/R катушки зависит, но все же. Как я сказал, хотелось бы обойтись без контроллеров, т.е. одна плата супервизора, собирающая измерения со всех плат.

И поскольку мы так удалились от изначального вопроса, давайте вернемся:
"К истоку анод BAV70, к катодам потребитель тока 2I, ко второму аноду катод BAT54 анодом на +24 В и источник тока I, подключённый к вольтодобавке, т.е. +24 В плюс что-то там, получаемой помпой, т.е. диодом и конденсатором, с летающего конденсатора драйвера. Итого, температуры и токи через диоды сборки одинаковые, а значит, на втором аноде получилось напряжение, равное напряжению на истоке при включённом NMOS и равное падению на BAT54 при выключенном."
Вот это, что было? Все что я у вас спросил, что вызвало такое раздражение. BAV70 - общий катод. BAT54C несколько сотен mV. Второе предложение мне тоже не понятно. Очевидно вы имели в виду что-то другое, но понять что, мне не хватает опыта.

Сообщение отредактировал Hale - May 1 2017, 00:37