Спасибо за ответы, а можно не много уточнений: 1. Для QFN: если на ПП делать ПОС покрытие и ее паять на медное основание с помощью прижима по всей площади, а потом к этому бутерброду паять уже чип и рассыпуху. На сколько это удачное решение? Размер платы будет гдето 50х100мм, вроде пустот не должно быть. Так же думал в качестве верхнего экрана использовать фрезерованную деталь, с пьедесталом над чипом QFN, который через мягкую термопрокладку (толщиной 1мм) снимает тепло еще и с верхней части. Какой надо будет оставить воздушный зазор над сигнальными дорожками чтобы не влиять на S параметры (частоты 3-8ГГц)? 2. Для SOT1227A: при разделении платы на две части, достаточно ли будет контакта земляного слоя ПП с основанием, ведь нормальным оно будет только в местах где винты, или лучше делать именно прямоугольный вырез? Можно ли использовать не проводящую термопасту, (или может подскажете проводящую, которую можно купить) или только индиевая полоска под корпус, чтобы убрать воздушные зазоры? Надо ли делать термическую обработку чтобы снять напряжение в этой полоске и она более плотнее прижалась к обоим поверхностям. Где кстати можно купить уже готовые, чтобы не катать на вальцах?
И еще, вы не использовали покрытие на алюминиевых сплавах Хим. Окс. э (окисное- фтористое), как оно ведет себя на СВЧ. Раньше я его применял для покрытия экранированных корпусов, оно электропроводящее. Если использовали, то какое покрытие ПП для него оптимальнее. Ну и в добавок, мне нужно по по максимуму снизить себестоимость изделия. Конечно я понимаю, что при стоимости транзисторов 10-20т.р за три копейки конструкция не получится, но и не хотелось бы тратить 50 т.р. у меня всё таки серия. Условия применения без ВП, так что солевой туман и агрессивные среды маловероятны.
--------------------
ОБХОДЯ РАЗЛОЖЕННЫЕ ГРАБЛИ - ТЫ ТЕРЯЕШЬ ДРАГОЦЕННЫЙ ОПЫТ!!!
|