Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32)

четвертьволны делают чтобы при такой аппроксимации отражение от неоднородности уходило в ноль на входе.
Не понимаю Вас. В начале теме Вы писали, что Вам нужна широкополосность. Реальный четвертьволновой отрезок линии передачи можно изготовить только для единственной частоты, для других частот - этот отрезок уже не является четвертьволновым. Поэтому отражения в диапазоне частот от неоднородности будут и в ноль на входе уйти не получится.

Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32)

Если вы не делаете четвертьволны, то лучше не делать никак. Но в какой-то момент при увеличении числа ступенек и уменьшении их размера конечно отражение ассимптотически переходит в характеристику плавного перехода. Но как рпавило это разрешение маски, или диаметр прототипирующей фрезы (0.1-0.2мм).
Естественно, что речь шла о разбиении переходов не на 2-3 отрезка, а на десятки, сотни (вплоть до бесконечности).
Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32)

Тем более, если цель - согласование на 300 Ом. При измерениях в нужной полосе все надо пересогласовывать.
Даже интересно как выглядит микрополосковый плавный переход 50->300 Ом на 10 ГГц.
Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32)

Я бы сказал, гораздо ближе вашего графика. не знаю, почему у вас вообще такое расхождение дикое. оба графика истины, но предыдущий был нормализован. Но я еще не симулировал с потерями и случайной погрешностью (я могу это в скрипте прописать)...
Думается мне, причина расхождения в том, что у нас разные переходы. Исходные данные для расчета:
подложка: толщина диэлектрика h=0,508 мм, отн. диэл. проницаемость e=10, толщина металлизации - 17 мкм, tanD=0, проводник - золото.
параметры перехода: длина l=50 мм, ширина узкой и широкой части на концах микрополоска: w1=0,469496 мм; w2=10.998 мм. Трансформация из 50 Ом в 5 Ом (w1 и w2 рассчитывались на частоте 1 ГГц). Коэффициент отражения измерялся со стороны низкоомного порта.
Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32)

не знаю как у вас,у нас производство меньше 100 штук не производит. и ждать месяц или это будет стоить как партия в 1000 штук в штучном исполнении на прототипировочной машине стороннего владельца. (в универе-то мы за бюджетный счет рисовали). а потом окажется, что с допусками промахнулись...
Закажите плату на специализированном предприятии. Сроки могут сократиться до недели, а стоимость вполне приемлемая.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43)

Возвращаясь к первоначальной теме... Правильно ли я понял, что данная методика подходит только для переходов (клопфенштейн или других), трансформирующих 50 ом в импеданс, приблизительно равный импедансу транзистора?
Нет. Для любых переходов. Для повышения точности, конечно, желательна близость импеданса оснастки к комплексно сопряженному сопротивлению транзистора. Плавные переходы хороши тем,что ни работают в широкой полосе частот и потому более универсальны.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43)

Или же надо искусственно на компе после проведения всех измерений проводить корректировку данных импедансов?
Такой вариант не исключен.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43)

При отличие импеданса транзистора от импеданса, получившегося в широкой части расширяющегося перехода на VNA в реальном времени такая корректировка невозможна, как я понимаю.
Возможна.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43)

Если подробнее про пересчет на компе для случая отличия данных импедансов, то я имею ввиду, что после deembeding'а моделей оснастки нужно в сечении подвыводных площадок моста Вилкинсона (порты 2 и 3 на рис в самом начале данной темы) "заменять" импеданс, получившийся при трансформации на переходе клопфенштейн из 50-ти ом в его широкое сечение (где-то Z=4-j0,5) на импеданс транзистора (Z=1-j4). Если же этого не делать и измерять на VNA мост плюс переходы, то появится неоднородность в месте между подвыводной площадкой моста и широкой частью перехода Клопфенштейн, что исказит результат измерения. По расчету параметры S21 и S31 при этом становятся равными 6-7 дБ в полосе 2,7-3,1 ГГц вместо 3,2.
Ничего не понял. Если Вам надо сравнить результат моделирования с измерением, что просто снимаете S-параметры устройства, а файлик вставляете в проект и сравниваете. С таким подходом можно измерить любые характеристики устройства точно так же, как в исходной модели.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43)

Для измерения в реальном времени на VNA, как я понимаю, надо изготовить переход, трансформирующий 50 ом в импеданс транзистора (это уже будет не плавный переход, а некая цепь согласования), что представляется непростым делом. Также при этом наверняка вырастут погрешности deembedinga оснастки и всего измерения.
В целом можно смело обойтись плавным переходом. Погрешности deembedinga на этих частотах невелики. Здесь важнее качество изготовления оснастки и то, как эта оснастка будет сопрягаться с измеряемым устройством.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43)

Кроме всего вышесказанного остается неразрешенным вопрос связи между двумя переходами Клопфенштейна (2 и 3 порты), расположенными параллельно друг другу на небольшом расстоянии. Не знаете как учесть такие наводки?
Могу порекомендовать промоделировать это влияние. Не думаю, что при толщине подложки менее 0,5 мм будет сильная связь между переходами.