реклама на сайте
подробности

 
 
> Измерение рассчитанных плат с мостами Вилкинсона на VNA, Измерение на VNA произвольных импедансов с минимальным отражением
Stefan1
сообщение May 4 2017, 13:04
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 414
Регистрация: 7-04-11
Из: Москва
Пользователь №: 64 187



Добрый день. Помогите пожалуйста с проблемой:
Необходимо сравнить расчет моста Вилкинсона в Microwave office (рис. ниже) с реальным измерением данных расчитанных плат на анализаторе цепей. Необходимо измерить |S23|, |S21| и |S31|. Мост используется для сложения двух мощных транзисторов в S-диапазоне частот. Но возникает проблема: VNA измеряет с 50-ти омными портами, а мне нужно подставлять в порты 2 и 3 импеданс транзистора (например, Z=1-j4). Есть идея использовать для этого калибровочные наборы, трансформирующие 50 ом в необходимый импеданс и затем производить TRL калибровку всей оснастки включаяэти наборы, но уж больно это сложно.
Кто-нибудь сталкивался с такой проблемой?
Или же вопрос можно переформулировать: как измерять на VNA произвольные импедансы (порядка Z=1-j4) с минимальным отражением?
Прикрепленное изображение


Сообщение отредактировал Stefan1 - May 4 2017, 13:24
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Hale
сообщение May 24 2017, 00:32
Сообщение #2


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 735
Регистрация: 11-10-11
Пользователь №: 67 667



Цитата
Нет. Обычная аппроксимация прямоугольниками фигуры перехода.

четвертьволны делают чтобы при такой аппроксимации отражение от неоднородности уходило в ноль на входе. Если вы не делаете четвертьволны, то лучше не делать никак. Но в какой-то момент при увеличении числа ступенек и уменьшении их размера конечно отражение ассимптотически переходит в характеристику плавного перехода. Но как рпавило это разрешение маски, или диаметр прототипирующей фрезы (0.1-0.2мм).

Цитата
Вам требуется совпадение моделирования с измерениями на уровне погрешности калибровки VNA на 50 Ом на частотах около 10 ГГц.

не мне. Автору. Меня всегда вполне устраивал прямолинейный полноволновый переход. т.к. с ним напортачить шансов меньше. Когда приперало, рисовал на глаз Клопа (я уже говорил почему). А эксплненциальный в случае промаха(а они были) дает чуть ли не худшие результаты. Требует очень аккуратной стыковки, пайки. И совершенно не корректируется на коленках. Так получается, что в исследовательской работе всякие там бреговские структуры никогда не получаются на 50 Ом, Тем более, если цель - согласование на 300 Ом. При измерениях в нужной полосе все надо пересогласовывать.

Цитата
1) Работа на 10 ГГц предполагает наличие достаточно точного VNA.

да ладно вам. мы в вузе обходились парой советских панорам, спеканом и двумя синтезаторами. и ничо... в 10 ГГц нет ничего запредельного.
Другое дело, что 4-портовые ВНА - сравнительная редкость и как правило это приборы высокой категории...но мы о закромах автора ничего не знаем.
Цитата
Наличие точного VNA предполагает наличие заводского механического калибровочного набора и фазостабильных кабелей.

пшььь. ничего оно не предполагает. калибровочный набор не входит в комлпект и является расходным материалом. когда совсем нет ничего под рукой, "калиброваться" можно аттенюаторами и запаянными по разному обрезками кабелей. Это конечно жуткий треш, но для элементарной поверки в пределах 15-20 дБ годится. У нас как раз сейчас на предприятии такая ситуация.

Цитата
Следовательно точность калибровки VNA на 50-омных разъёмах будет логично выше, чем совпадение моделирования с измерениями для микрополосковых плавных переходов. Отсюда следует, что Вы слишком много хотите от изготовленного на коленке перехода.

Нет. отсуюда следует что не надо заниматься фигней, а мерять нормально на 50-омных портах. И если сильно будет чесаться - пересчитать нормализацию в матлабе.

Цитата
Теперь результат ближе к истине.

Я бы сказал, гораздо ближе вашего графика. не знаю, почему у вас вообще такое расхождение дикое. оба графика истины, но предыдущий был нормализован. Но я еще не симулировал с потерями и случайной погрешностью (я могу это в скрипте прописать)...
Цитата
Почему бы не заказать печатную плату на производстве?

не знаю как у вас,у нас производство меньше 100 штук не производит. и ждать месяц или это будет стоить как партия в 1000 штук в штучном исполнении на прототипировочной машине стороннего владельца. (в универе-то мы за бюджетный счет рисовали). а потом окажется, что с допусками промахнулись...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MePavel
сообщение May 24 2017, 20:43
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32) *
четвертьволны делают чтобы при такой аппроксимации отражение от неоднородности уходило в ноль на входе.

Не понимаю Вас. В начале теме Вы писали, что Вам нужна широкополосность. Реальный четвертьволновой отрезок линии передачи можно изготовить только для единственной частоты, для других частот - этот отрезок уже не является четвертьволновым. Поэтому отражения в диапазоне частот от неоднородности будут и в ноль на входе уйти не получится. wink.gif
Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32) *
Если вы не делаете четвертьволны, то лучше не делать никак. Но в какой-то момент при увеличении числа ступенек и уменьшении их размера конечно отражение ассимптотически переходит в характеристику плавного перехода. Но как рпавило это разрешение маски, или диаметр прототипирующей фрезы (0.1-0.2мм).

Естественно, что речь шла о разбиении переходов не на 2-3 отрезка, а на десятки, сотни (вплоть до бесконечности).

Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32) *
Тем более, если цель - согласование на 300 Ом. При измерениях в нужной полосе все надо пересогласовывать.

Даже интересно как выглядит микрополосковый плавный переход 50->300 Ом на 10 ГГц.
Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32) *
Я бы сказал, гораздо ближе вашего графика. не знаю, почему у вас вообще такое расхождение дикое. оба графика истины, но предыдущий был нормализован. Но я еще не симулировал с потерями и случайной погрешностью (я могу это в скрипте прописать)...

Думается мне, причина расхождения в том, что у нас разные переходы. Исходные данные для расчета:
подложка: толщина диэлектрика h=0,508 мм, отн. диэл. проницаемость e=10, толщина металлизации - 17 мкм, tanD=0, проводник - золото.
параметры перехода: длина l=50 мм, ширина узкой и широкой части на концах микрополоска: w1=0,469496 мм; w2=10.998 мм. Трансформация из 50 Ом в 5 Ом (w1 и w2 рассчитывались на частоте 1 ГГц). Коэффициент отражения измерялся со стороны низкоомного порта.

Цитата(Hale @ May 24 2017, 03:32) *
не знаю как у вас,у нас производство меньше 100 штук не производит. и ждать месяц или это будет стоить как партия в 1000 штук в штучном исполнении на прототипировочной машине стороннего владельца. (в универе-то мы за бюджетный счет рисовали). а потом окажется, что с допусками промахнулись...

Закажите плату на специализированном предприятии. Сроки могут сократиться до недели, а стоимость вполне приемлемая.

Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43) *
Возвращаясь к первоначальной теме... Правильно ли я понял, что данная методика подходит только для переходов (клопфенштейн или других), трансформирующих 50 ом в импеданс, приблизительно равный импедансу транзистора?

Нет. Для любых переходов. Для повышения точности, конечно, желательна близость импеданса оснастки к комплексно сопряженному сопротивлению транзистора. Плавные переходы хороши тем,что ни работают в широкой полосе частот и потому более универсальны.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43) *
Или же надо искусственно на компе после проведения всех измерений проводить корректировку данных импедансов?

Такой вариант не исключен.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43) *
При отличие импеданса транзистора от импеданса, получившегося в широкой части расширяющегося перехода на VNA в реальном времени такая корректировка невозможна, как я понимаю.

Возможна.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43) *
Если подробнее про пересчет на компе для случая отличия данных импедансов, то я имею ввиду, что после deembeding'а моделей оснастки нужно в сечении подвыводных площадок моста Вилкинсона (порты 2 и 3 на рис в самом начале данной темы) "заменять" импеданс, получившийся при трансформации на переходе клопфенштейн из 50-ти ом в его широкое сечение (где-то Z=4-j0,5) на импеданс транзистора (Z=1-j4). Если же этого не делать и измерять на VNA мост плюс переходы, то появится неоднородность в месте между подвыводной площадкой моста и широкой частью перехода Клопфенштейн, что исказит результат измерения. По расчету параметры S21 и S31 при этом становятся равными 6-7 дБ в полосе 2,7-3,1 ГГц вместо 3,2.

Ничего не понял. Если Вам надо сравнить результат моделирования с измерением, что просто снимаете S-параметры устройства, а файлик вставляете в проект и сравниваете. С таким подходом можно измерить любые характеристики устройства точно так же, как в исходной модели.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43) *
Для измерения в реальном времени на VNA, как я понимаю, надо изготовить переход, трансформирующий 50 ом в импеданс транзистора (это уже будет не плавный переход, а некая цепь согласования), что представляется непростым делом. Также при этом наверняка вырастут погрешности deembedinga оснастки и всего измерения.

В целом можно смело обойтись плавным переходом. Погрешности deembedinga на этих частотах невелики. Здесь важнее качество изготовления оснастки и то, как эта оснастка будет сопрягаться с измеряемым устройством.
Цитата(Stefan1 @ May 24 2017, 17:43) *
Кроме всего вышесказанного остается неразрешенным вопрос связи между двумя переходами Клопфенштейна (2 и 3 порты), расположенными параллельно друг другу на небольшом расстоянии. Не знаете как учесть такие наводки?

Могу порекомендовать промоделировать это влияние. Не думаю, что при толщине подложки менее 0,5 мм будет сильная связь между переходами.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- Stefan1   Измерение рассчитанных плат с мостами Вилкинсона на VNA   May 4 2017, 13:04
- - k0l0bun   мб сделать расчет для 50-Ом портов и сравнить с эк...   May 4 2017, 13:28
|- - Stefan1   Цитата(k0l0bun @ May 4 2017, 16:28) мб сд...   May 4 2017, 13:34
||- - Hale   Цитата(Stefan1 @ May 4 2017, 17:34) КСВ п...   May 9 2017, 00:20
||- - MePavel   Цитата(Hale @ May 9 2017, 03:20) У всех п...   May 9 2017, 09:33
||- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 9 2017, 12:33) Интер...   May 10 2017, 08:08
|- - k0l0bun   Цитата(k0l0bun @ May 4 2017, 16:28) мб сд...   May 5 2017, 09:27
- - nljobs   Цитата(Stefan1 @ May 4 2017, 15:04) Или ж...   May 5 2017, 08:51
|- - Stefan1   Цитата(nljobs @ May 5 2017, 11:51) смотри...   May 5 2017, 15:18
- - MePavel   Цитата(Stefan1 @ May 4 2017, 16:04) Необх...   May 5 2017, 16:02
|- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 5 2017, 19:02) Думаю...   May 5 2017, 16:28
|- - MePavel   Цитата(Stefan1 @ May 5 2017, 19:28) Рассч...   May 5 2017, 16:53
|- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 5 2017, 19:53) Не оч...   May 5 2017, 17:10
|- - MePavel   Цитата(Stefan1 @ May 5 2017, 20:10) Нужно...   May 5 2017, 21:45
- - ASDFG123   А у вас анализатор не умеет показыть диаграмму Сми...   May 8 2017, 17:53
- - Hale   ЦитатаНе согласен. Например, экспоненциальный пере...   May 10 2017, 00:56
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 10 2017, 03:56) да, поп...   May 10 2017, 21:31
|- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 11 2017, 00:31) Тут ...   May 11 2017, 08:06
- - Hale   ЦитатаLine - изготавливается на СВЧ подложке из из...   May 11 2017, 02:22
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 11 2017, 05:22) Этот ра...   May 13 2017, 18:15
|- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 13 2017, 21:15) Нет....   May 15 2017, 08:55
|- - Hale   Цитата(Stefan1 @ May 15 2017, 11:55) Вы п...   May 15 2017, 23:56
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 16 2017, 02:56) Пожалуй...   May 17 2017, 20:04
- - khach   Клопфенштейна одностороннего неплохо калибровать м...   May 13 2017, 10:35
- - Hale   Цитата"требуемой точностью" ну требуется...   May 15 2017, 01:00
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 15 2017, 04:00) ну треб...   May 15 2017, 21:22
|- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 16 2017, 00:22) Для ...   May 16 2017, 09:33
|- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 16 2017, 00:22) Для ...   May 24 2017, 14:43
- - Hale   ЦитатаНа иллюстрации из учебника ясно видно, что л...   May 17 2017, 23:59
|- - Stefan1   Буду пробовать. Спасибо всем за помощь. Особенно В...   May 18 2017, 08:32
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 18 2017, 02:59) Вы чем,...   May 18 2017, 20:31
- - Hale   что-то вы попутали в модели. Должно быть наоборот....   May 18 2017, 23:55
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 19 2017, 02:55) что-то ...   May 19 2017, 16:57
- - Hale   ЦитатаПроверил, ничего не попутал. Оба меша покажи...   May 22 2017, 01:43
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 22 2017, 04:43) Оба меш...   May 22 2017, 20:47
- - Hale   ЦитатаОба меша покажите пожалуйста. Ну да, экспоне...   May 23 2017, 01:04
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 23 2017, 04:04) как и л...   May 23 2017, 20:56
|- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 24 2017, 23:43) В це...   May 25 2017, 07:18
- - Hale   Просимулировал с потерями в подложке tanD=0.001, с...   May 24 2017, 02:36
- - Hale   ЦитатаНе понимаю Вас. В начале теме Вы писали, что...   May 25 2017, 00:56
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 25 2017, 03:56) У вас г...   May 27 2017, 12:01
|- - Stefan1   Цитата(MePavel @ May 27 2017, 15:01) Очев...   May 29 2017, 08:34
- - Hale   я думаю потому что переход у вас на вещественный и...   May 26 2017, 00:17
|- - Stefan1   Цитата(Hale @ May 26 2017, 03:17) на выхо...   May 26 2017, 08:02
- - Hale   ЦитатаХарактеристика Баттерворта никакого отношени...   May 30 2017, 06:13
|- - MePavel   Цитата(Hale @ May 30 2017, 09:13) ну как ...   May 30 2017, 19:47
- - Hale   ЦитатаНикакой там особенности нет. Просто надо был...   May 30 2017, 07:40
- - Hale   ЦитатаЕсли не затруднит, то где можно почитать, пр...   May 31 2017, 02:21


Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 23rd July 2025 - 10:55
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01437 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016