Цитата(@Ark @ Jun 8 2017, 22:06)

Самое простое - "поднять" всю схему над землей на 2,5В. Подставить шунт между землей схемы и минусом питания.
Например, взять TL431. Вывод Ref соединить с катодом TL431. Вольт-добавка снизу будет 2,495В.
Нужно только правильно запитать эту конструкцию.

Что-то я совсем не понял как это все должно включатся. Я никогда не применял внешний BG кончено, но вроде как можно столкнутся с 2,47 2,52. Стоит он дешево, внутреннего тримминга там точно не будет. Это 50mV там разброс будет от микросхемы к микросхеме. А это, если 3,3В / например 10бит. 15LSB разброс будет. Смещение у ОУ будет гораздо меньше от микросхемы к микросхеме. По условию точность важна (если единичное устройство, можно руками настроить)
Я был бы Вам признателен если бы Вы набросали схемку на салфетке, как вы это все ведите. Мне кажется даже если это все и сработает, то скорость будет низкая. В даташите увидел применение как компаратор, на уровень внутреннего REF. Скажем так, можно использовать наверное как POR.