STM32F4: разница в скорости обращения при размещении массива в DRAM и в FLASH программ?, есть ли универсальный ответ что быстрее? Опции

[Ruslan1]

есть STM32F429. И внешняя SDRAM, подключенная по 16-битной шине.
Нужно часто читать из массива 4-байтные величины (коэффициенты оконной функции). Где лучше разместить этот массив: в SDRAM или во FLASH программ, насколько велика разница?
Всегда ли это однозначно (XX быстрее чем YY), или все-таки нужно считать текущую времянку в соответствии с настройками шин?

Сейчас во флэше и все устраивает, но в будущем хочется просто генерировать массив после включения и класть в SDRAM, мне так удобнее, вот только про быстродействие непонятно.

[jcxz]

Всегда ли это однозначно (XX быстрее чем YY), или все-таки нужно считать текущую времянку в соответствии с настройками шин?

Зависит от частоты шины к SDRAM, наличия кеша флешь и др.
А в чём проблема просто померить варианты тот и тот? Минутное дело, сюда вопрос дольше писать.

[Ruslan1]

Зависит от частоты шины к SDRAM, наличия кеша флешь и др.
А в чём проблема просто померить варианты тот и тот? Минутное дело, сюда вопрос дольше писать.

у меня могозадачка и много чего там крутится, запросто могу промахнуться при разовом тесте и измерить необъективно из-за того что оно что-то начало делать более приоритетное и ресурсоемкое. Думал мне просто скажут- все ежи однозначно бегут вот сюда, все уже разжевано и доказано .
Ну и лень, опять же....

[jcxz]

у меня могозадачка и много чего там крутится,

И запрещать прерывания тоже не умеете??

[Ruslan1]

И запрещать прерывания тоже не умеете??

Я много чего не умею, чем дольше живу-тем больше всего не умею.

Ладно, понял, спасибо. Раз ответ на мой вопрос не такой однозначный как я думал- буду получать ответ локально.

[jcxz]

Ладно, понял, спасибо. Раз ответ на мой вопрос не такой однозначный как я думал- буду получать ответ локально.

Вот смотрите - написал для Вас за 4 минуты нужный Вам тест

Код

PUBLIC f1
f1: CPSID I
     MOVS R1, #250
f1_1: LDMIA R0!, {R2-R4,R12}
     LDMIA R0!, {R2-R4,R12}
     LDMIA R0!, {R2-R4,R12}
     LDMIA R0!, {R2-R4,R12}
     SUBS R1, R1, #1
     BNE f1_1
     CPSIE I
     RET

Объявляете его как:
extern "C" void f1(void const *);
Вначале вызываете с адресом в SDRAM, потом - во флешь. Смотрите сколько тактов получилось. Сравниваете.
Код выполняет 4000 32-битных последовательных чтений памяти.
Всё!