Вопросы по динамической памяти Опции

[_alex__]

cortex m8
ddr3
1) должна ли частота clock микросхемы ddr3 быть кратна частоте микроконтроллера?
если в приведенной схеме частота ddr3 400МГц, то частота микроконтроллера 800МГц?

2) операции чтения и записи из ddr памяти могут чередоваться как угодно или должна быть какая-то система?(например определенное колличество последовательных операций записи, а потом чтения)

3) не понимаю принцип двойной скорости передачи(два раза за период clock) т.е. по переднему фронту выдается 16бит данных по адресу условно addr, а по заднему фронту addr+1 ? не правильно?

4) регенерация заряда в ячейках памяти происходит целиком внутри микросхемы т.е. не нужно подавать каких-то внешних сигналов для этого? и процесс регенерации как-то нужно учитывать при подаче команд микросхеме?

5) обьясните простым языком зачем нужны выводы DQS1,DQSN1,DQS0,DQSN0,DQM1,DQM0 , что по ним передается, для чего они и как они должны быть синхронизированы с сигналами на других выводах.

6) предположим абсолютно все проводники между микроконтроллером и ddr не создают содержки, правильно ли это? т.е. при трассировке платы не нужно что б какие-то сигналы запаздывали? нужно что б задержка по всем проводникам была абсолютно одинакова?

[mantech]

Для начала почитайте:

http://kit-e.ru/articles/circuit/2010_9_135.php

http://compress.ru/article.aspx?id=18761

https://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=93850

Плюс доки по вашему камню, который Кортекс А8
И почему бы не воспользоваться доками на референсный дизайн? Они всегда есть у таких камней.

ЗЫ. Тема уже далеко не для начинающих..

должна ли частота clock микросхемы ddr3 быть кратна частоте микроконтроллера?
если в приведенной схеме частота ddr3 400МГц, то частота микроконтроллера 800МГц?

Возможно но нежелательно.

операции чтения и записи из ddr памяти могут чередоваться как угодно или должна быть какая-то система?(например определенное колличество последовательных операций записи, а потом чтения)

Как хотите, так и будет, но лучше последовательно, тогда контроллер активизирует Burst mode и скорость в разы выше.

регенерация заряда в ячейках памяти происходит целиком внутри микросхемы т.е. не нужно подавать каких-то внешних сигналов для этого? и процесс регенерации как-то нужно учитывать при подаче команд микросхеме?

Можете сами регенерировать, но лучше Self refresh.

Сообщение отредактировал mantech - Sep 10 2017, 07:37

[dimka76]

Можете сами регенерировать, но лучше Self refresh.

Здравствуйте.
Также имеются ряд вопросов.
1. Как узнать, что микросхема находится в состоянии Self refresh?
2. Пока идет refresh ячейки для записи получаются не доступными. А если у меня имеются
данные для записи, что мне с ними делать ? А если на момент завершения refresh
мои данные окажутся просроченными ?

[gerber]

Также имеются ряд вопросов.
1. Как узнать, что микросхема находится в состоянии Self refresh?

Зачем вам это знать? Это внутренние дела микросхемы дин. памяти.

2. Пока идет refresh ячейки для записи получаются не доступными. А если у меня имеются
данные для записи, что мне с ними делать ? А если на момент завершения refresh
мои данные окажутся просроченными ?

Нет, refresh - это периодическое чтение (да, именно чтение, а не запись, что кажется нелогичным) каждой страницы, а по сути просто периодическая активация одного транзистора (gate) на каждой странице, подпитывающего емкостные ячейки памяти. Этот процесс никак не мешает процессам чтения и записи в память.
А надеяться, что дин. память будет равномерно и четко писать данные не стоит, т. к. при переходе в другую страницу перед операциями чтения-записи выполняется её активация (precharge), что занимает какое-то время. Поэтому при работе с ней нужно обеспечить буферизацию (кэширование), чтобы не потерять данные.