Термокомпенсированный усилитель сигнала фотодиода, Как компенсировать температурный дрейф диода. Опции

[ADOWWW]

Приветствую коллег !
Необходимо регистрировать и измерять яркость пикосекундных ( 200-500 пс) лазерных импульсов.
В принципе схемотехника не сложная, усилитель фототока на ОУ с термокомпенсацией на резисторной сборке.
Если необходимо, схему попозже приведу.
Но есть одна проблема, в процессе работы, датчик с оптикой и фотодиодом ( G12183-003K ) разогревается измеряемым лазерным излучением, от комнатной- до 60-70 градусов.
Ответственно плывет фототок диода, нелинейно. Подскажите, может есть схемотехнический способ достаточно точной термокомпенсации дрейфа фотодиода?
Сделать термос или заменить диод на диод с пельтье, в данном устройстве затруднительно. Рассматривается лишь как безвыходный вариант.

[ADOWWW]

Да, ребята, я подозревал, что простого решения не будет.
Создание таблиц именно тот метод, который приходится использовать сейчас. Но в реальном производстве это мина замедленного действия.
Поскольку эти датчики - элементы обратной связи по выходной мощности. И при замене или еще какой нибудь проблеме
надо будет опять производить уникальную калибровку обоих каналов в "полевых условиях", а проконтролировать ее мы уже ни как не можем.

Если не будет от участников какой нибудь оригинальной идеи, хочу попытаться использовать второй такой же диод в качестве термокомпенсирующего.

[alexunder]

Да, ребята, я подозревал, что простого решения не будет.

Есть красивый вариант, но понадобятся некоторые изыскания. Суть его в том, чтобы преобразовывать 2.1 мкм в видимый свет, который затем детектировать кремниевым фотодиодом.
Для преобразования необходимо подобрать материал с высоким коэффициентом многофотонного поглощения. В вашем случае нужно три фотона с длиной волны 2100нм чтобы получить один виртуальный с длиной волны 700 нм, которая близка к пику чувствительности кремниевых ФД.
Как правило органические полупроводники имеют якро выраженные свойства, еще квантовые точки. Оба варианта наносятся из раствора на кварцевую пластину где образуют тонкую пленку и энкапсулируются (сам когда-то изучал этот эффект в квантовых точках), затем такая пластинка ставится перед Si-фотодиодом. Вероятность многофотонного поглощения сильно зависит от интенсивности излучения, т.е. как раз ваш случай. Но тут вам нужен специалист по material science.
Альтернатива упомянутым тонкопленочным материалам - кристаллы KDP, BBO, LTB, и CLBO, которые применяют в лазерах для преобразования гармоники. Вам нужна третья гармоника, нужно подобрать правильный тип кристалла. Опять же кристаллики бывают довольно миниатюрные, 5х5х5 мм^3.
Забыл сказать, что часть 2.1мкм излучения будет "пролетать" сквозь такой преобразователь, но вряд-ли вызовет сильный нагрев Si-фотодиода, а даже если вызовет, то не приведет к сильному изменению чувствительности.