BackDrill. Расчет стека МПП Опции

[Vasen]

Добрый день, уважаемые форумчане!

Помогите пожалуйста разобраться с принципом расчета структуры МПП для backdrill.
Согласно рисунку есть параметр G (толщина диэлектрика до смежного слоя метализации). С чем связано увеличение толщины диэлектрика с увеличением глубины сверления при backdrill. (
Получается, что при увеличении слоев для backdrill, толщина платы растет стремительно.
Какое значение имеет отношение толщин внутренних слоев диэлектрика к глубине сверления?
Как я понимаю, имеет важное значение минимально допустимая глубина сверления, точность определения этой глубины, погрешность толщины прессуемых материалов и тп, что обуславливает гарантированно остаточный stub - H.
Но каким образом важна толщина диэлектрика до смежного слоя - мне не понятно. Какая разница в каком месте будет дно backdrill-a по отношению к внутренним слоям?

Код

              
             F ≤ 1.0mm      1.0mm < F ≤ 2.0mm     2.0mm < F ≤ 3.0mm     3.0mm < F ≤ 4.0mm
G min.       250µm              300µm                          400µm                          500µm
H              125µm              150µm                           200µm                          250µm

Спасибо.

[Uree]

Все эти рассчеты так увлекательны, пока не залашься вопросом, а реально ли это так необходимо... А тут ребята из Роджерса подсуетились и проверили. Да говорят, необходимо, но начиная с ~10ГГц: