BackDrill. Расчет стека МПП Опции

[Vasen]

Добрый день, уважаемые форумчане!

Помогите пожалуйста разобраться с принципом расчета структуры МПП для backdrill.
Согласно рисунку есть параметр G (толщина диэлектрика до смежного слоя метализации). С чем связано увеличение толщины диэлектрика с увеличением глубины сверления при backdrill. (
Получается, что при увеличении слоев для backdrill, толщина платы растет стремительно.
Какое значение имеет отношение толщин внутренних слоев диэлектрика к глубине сверления?
Как я понимаю, имеет важное значение минимально допустимая глубина сверления, точность определения этой глубины, погрешность толщины прессуемых материалов и тп, что обуславливает гарантированно остаточный stub - H.
Но каким образом важна толщина диэлектрика до смежного слоя - мне не понятно. Какая разница в каком месте будет дно backdrill-a по отношению к внутренним слоям?

Код

              
             F ≤ 1.0mm      1.0mm < F ≤ 2.0mm     2.0mm < F ≤ 3.0mm     3.0mm < F ≤ 4.0mm
G min.       250µm              300µm                          400µm                          500µm
H              125µm              150µm                           200µm                          250µm

Спасибо.

[vicnic]

День добрый.
Как тут уже правильно заметили, один из основных параметров для контроля - допуск на глубину сверления. Не знаю, что вам сказал FineLine, я сталкивался с допуском +/-100 мкм.
С другой стороны, при высверливании определенных слоёв технолог должен проконтролировать, чтобы не затронуть остальные, в которых могут присутствовать сигнальные линии.
В итоге мы имеем следующую ситуацию: при ПОСТОЯННОЙ толщине платы, например, 1.6 мм, увеличение количества слоёв ведет к уменьшению толщины диэлектрика.
А такое уменьшение ведет к увеличению риска вылезти за пределы установленных для высверливания слоёв.
В качестве примера: плату на 8 слоёв в общую толщину 1.6 можно спрессовать с помощью ядер и прокладок толщиной порядка 180-200 мкм. И при допуске на глубину +/-100 мкм риск "пересверлить" низкий.
Но если плата в 12 слоёв при той же толщине, толщина каждого диэлектрика будет порядка 100-130 мкм, что приводит к риску засверлить на другие слои.

[Vasen]

День добрый.
Как тут уже правильно заметили, один из основных параметров для контроля - допуск на глубину сверления. Не знаю, что вам сказал FineLine, я сталкивался с допуском +/-100 мкм.
С другой стороны, при высверливании определенных слоёв технолог должен проконтролировать, чтобы не затронуть остальные, в которых могут присутствовать сигнальные линии.
В итоге мы имеем следующую ситуацию: при ПОСТОЯННОЙ толщине платы, например, 1.6 мм, увеличение количества слоёв ведет к уменьшению толщины диэлектрика.
А такое уменьшение ведет к увеличению риска вылезти за пределы установленных для высверливания слоёв.
В качестве примера: плату на 8 слоёв в общую толщину 1.6 можно спрессовать с помощью ядер и прокладок толщиной порядка 180-200 мкм. И при допуске на глубину +/-100 мкм риск "пересверлить" низкий.
Но если плата в 12 слоёв при той же толщине, толщина каждого диэлектрика будет порядка 100-130 мкм, что приводит к риску засверлить на другие слои.

Добрый день! Если вы внимательно читали посты выше, то про допуски я сам писал и не раз. В данном случае то все понятно.
По поводу "затронуть остальных" - вы как представляете себе появление сквозных отверстий на плате, которые тоже норовят затронуть "остальные".
Наверное сигнальные проводники на некотором удалении от мех отверстия проводите? В данном случае область сверления ограничена размером keepout зоны A+2c.
Еще раз попытаюсь донести. Если следовать рисунку и таблице с первого поста, то при увеличении глубины сверления необходимо увеличивать толщину диэлектрика, а это задача еще та.
Так как при расчете структуры мы должны обеспечить требуемый импеданс, симметричность структуры и тп, те решается комплекс задач, то данный факт делает расчет структуры
настолько увлекательным )). Попробуйте рассчитать структуру на 18 слоев с backdrill скажем до 3-4 сигнальных слоев, применив рисунок и табличку с первого поста ).
На данный момент у меня получилась структура на 18 слоев и backdirll до 2 сигнальных. При этом толщина структуры - 2.8мм. А вы говорите 1.6. ))

[vvvv]

На данный момент у меня получилась структура на 18 слоев и backdirll до 2 сигнальных. При этом толщина структуры - 2.8мм. А вы говорите 1.6. ))

По моему Вы увлеклись. Для печатных плат, лично держал в руках печатную плату толщиной 2.7mm, рассчитанную на Xeon с интерфейсом PCIE2, QPI на борту,
с рабочими частотами до 6ГГц и на этой плате не было ни одного backdrll переходного отверстия. Половина слоев сигнальные равномерно чередующихся со
слоями питания. Ну и да в серии все работало как часы.

Технология высверливания переходных Вам потребуется если Вы будете гонять иинтерфейсы под 10-15 ГГц. Но тогда возникнет другой вопрос, что дешевле,
сделать одну монолитную плату толщиной 2.8мм из качественного материала и тянуть по ней высокоскоростные интерфейсы и питание,
и затем применить backdrilling за суровые деньги. За очень суровые деньги
Или сделать две печатных платы, одну из качественного материала только для скоростных сигналов, толщиной 1.0 .. 1.6мм и другую из самого простого
материала и толщиной 2.5мм скажем для слоев питания. В большинстве случаев двухплатное решение намного выгоднее и надежнее.