BackDrill. Расчет стека МПП Опции

[Vasen]

Добрый день, уважаемые форумчане!

Помогите пожалуйста разобраться с принципом расчета структуры МПП для backdrill.
Согласно рисунку есть параметр G (толщина диэлектрика до смежного слоя метализации). С чем связано увеличение толщины диэлектрика с увеличением глубины сверления при backdrill. (
Получается, что при увеличении слоев для backdrill, толщина платы растет стремительно.
Какое значение имеет отношение толщин внутренних слоев диэлектрика к глубине сверления?
Как я понимаю, имеет важное значение минимально допустимая глубина сверления, точность определения этой глубины, погрешность толщины прессуемых материалов и тп, что обуславливает гарантированно остаточный stub - H.
Но каким образом важна толщина диэлектрика до смежного слоя - мне не понятно. Какая разница в каком месте будет дно backdrill-a по отношению к внутренним слоям?

Код

              
             F ≤ 1.0mm      1.0mm < F ≤ 2.0mm     2.0mm < F ≤ 3.0mm     3.0mm < F ≤ 4.0mm
G min.       250µm              300µm                          400µm                          500µm
H              125µm              150µm                           200µm                          250µm

Спасибо.

[Uree]

Просто для информации - 10Гбит работает со стабами около 0.45мм, это 3 сигнальных слоя с обычными материалами(боттом и два над ним). Если и 3-х слоев мало, тогда пытайте завод, что они имеют в виду с такими требованиями.

[Vasen]

Просто для информации - 10Гбит работает со стабами около 0.45мм, это 3 сигнальных слоя с обычными материалами(боттом и два над ним). Если и 3-х слоев мало, тогда пытайте завод, что они имеют в виду с такими требованиями.

Это полезная информация безусловно. Но согласитесь, что есть момент привязанности к конкретному проекту. Длина дифф пар, точность импеданса, параметры виа, характеристики соединителей,
характеристики приемного устройства, помехи и тп.
Стаб длиной 450 мк, работая в одном проекте, в другом может запросто не работать.

Ну вот скажите, у Вас не возникает вопроса по параметру G?

[vvvv]

Ну вот скажите, у Вас не возникает вопроса по параметру G?

Ну хорошо backdrilling. По параметру G не возникает вопросов, потому что все вроде очевидно.
Производитель в зависимости от максимальной глубины сверления закладывает "промах" скажем 200мкм
То есть настолько сверло углубится в данный конкретный слой. И предлагает разработчику
заложить толщину диэлектрика в 2 раза больше, чтобы конец сверла был в центре диэлектрика по высоте
и избежать прорыва меди. Ну да вопрос а почему? Потому что рассматривается ядро, толщина которого
гарантированна. И скорее всего сверло точно знает когда оно вошло в ядро. С препрегом как раз все
неоднозначно, его толщина может меняться в больших относительно пределах.
Вот они и пишут минимальную толщину ядра в зоне остановки сверла, чтобы оно, сверло останавливалось
в центре ядра, и чтобы ядро не было слишком тонким скажем 100мкм при сверлении на глубину 3мм.

Если Вы все таки хотите сделать backdrilling, кто мешает Вам заложить в плату лишние 500мкм или даже 800мкм
толщины диэлектрика между ВЧ и НЧ частями стека платы и спокойно изготовить не боясь никаких проблем.
В симметричном варианте это перерасход материала, ну и что, на линиях в 10GHz и если они таки да будут достаточно
длинные, Вам придется заложить такой материал, что плата дешевая не будет полюбому. А если короткие и
все на FR4 то цена подскочит не сильно.
И еще вопрос, ну хорошо сделали Вы backdrilling и все получилось, разъемы надеюсь SMD на 10GHz а то
ведь прикольно получится плата крутая, а стабы от разъемов все завалят. Они ж будут на всю высоту платы