Усилитель сабвуфера на MOSFETах в ключевом режиме, стоит ли пытаться сделать или сразу забить? Опции

[JBM]

Только не пинайте ногами!

Идея такова: на четырёх MOSFETах собирается H-bridge, в качестве нагрузки ставится низкочастотный динамик (сабвуфер). С помощью ШИМа с частотой значительно более высокой, чем верхняя частота динамика (в данном случае думаю килогерц 60-100) и разрешением 10 бит формируем на динамике переменный ток, аналогичный входному сигналу.

Надеюсь за счёт индуктивности динамика и за счёт его механических свойств получить более-менее качественный звук.

Получится ли? Стоит ли развивать эту концепцию, или сразу забить на это?

Основной бенефит, который хочется получить - отсутствие нагрева за счёт ключевого режима.

Забыл сказать: диапазон входного сигнала 16-80 Гц

Сообщение отредактировал JBM - Sep 7 2006, 21:34

[Stanislav]

Только не пинайте ногами!

Идея такова: на четырёх MOSFETах собирается H-bridge, в качестве нагрузки ставится низкочастотный динамик (сабвуфер). С помощью ШИМа с частотой значительно более высокой, чем верхняя частота динамика (в данном случае думаю килогерц 60-100) и разрешением 10 бит формируем на динамике переменный ток, аналогичный входному сигналу.

Надеюсь за счёт индуктивности динамика и за счёт его механических свойств получить более-менее качественный звук.

Получится ли? Стоит ли развивать эту концепцию, или сразу забить на это?

Основной бенефит, который хочется получить - отсутствие нагрева за счёт ключевого режима.

Забыл сказать: диапазон входного сигнала 16-80 Гц

Простите, но, как мне кажется, всё самому крючить "с нуля" не стОит. Сначала не мешает ознакомиться с тем, что уже сделано до Вас. Начните, например, вот с этого:
http://www.nxp.com/pip/TDA8924_1.html
LC фильтр в усилителе класса D нужен обязательно, об этом на форуме уже был разговор.