Усилитель сабвуфера на MOSFETах в ключевом режиме, стоит ли пытаться сделать или сразу забить? Опции

[JBM]

Только не пинайте ногами!

Идея такова: на четырёх MOSFETах собирается H-bridge, в качестве нагрузки ставится низкочастотный динамик (сабвуфер). С помощью ШИМа с частотой значительно более высокой, чем верхняя частота динамика (в данном случае думаю килогерц 60-100) и разрешением 10 бит формируем на динамике переменный ток, аналогичный входному сигналу.

Надеюсь за счёт индуктивности динамика и за счёт его механических свойств получить более-менее качественный звук.

Получится ли? Стоит ли развивать эту концепцию, или сразу забить на это?

Основной бенефит, который хочется получить - отсутствие нагрева за счёт ключевого режима.

Забыл сказать: диапазон входного сигнала 16-80 Гц

Сообщение отредактировал JBM - Sep 7 2006, 21:34

[INT1]

http://d-amp.narod.ru/index.html -можно и самомУ
http://sound.westhost.com/articles/pwm.htm - тоже, общие принципы
http://www.irf.com/product-info/directfet/classdaudio.html - посмотреть апноты AN 1070 / 1071
http://www.apexmicrotech.ru/support/pages/app_notes.html посмотреть апноты an 30 , 32(фильтрация)
http://www.avtozvuk.com/az/Az_0401/p12-17-1.htm не знаю, чем там закончилось с классом Т , вроде бы есть готовые IC