как правильно вести дорожки от драйвера к МОСФЕТ Опции

[serglg]

На одном из этапов пришлось поменять конструкцию радиатора, перевернуть транзисторы.
До того транзистор относительно платы металлом вверх шел (корпус ТО-220) теперь металлом вниз (ТО-247).
Сейчас плата крепится на большом радиаторе и транзисторы по краю платы.
Мне казалось, что раньше было "неправильно". Дорожка с выхода драйвера была вынуждена переходить со стороны на сторону и перекрещивалась с дорожкой общего провода с истока на драйвер.
Теперь же вроде "правильно". Всё в одном слое. К тому же длина дорожки к затвору стала короче.
На картинке drv1 - старая разводка, drv2 - новая.
В результате получается, что с новой разводкой даже с ТЕМИ же транзисторами в ТО-220 имею дребезг (ВЧ-возбуждение) открытого ключа примерно через 100 нсек после открытия. Ну вроде как во время эффекта Миллера. При этом в определенном диапазоне токов МОСФЕТа ( 4-9 ампер)
Настрой разводке ничего подобного нет.
Ферритовая бусинка в затворе это как-то убирает, но не уверен что везде и навсегда.
Резистор в цепи затвора увеличиваемый с 2 Ом до 6 Ом тоже эффект дает.
Снаббер у меня параллельно сток-исток - 220 пФ и 56 Ом.
Период - 3,7 мксек. Рабочая длительность - 0,6...1 мксек.
Большие пятаки на плате рядом с выводами стока и истока - провода силовых линий к источнику и дросселю (жесткий провод d2mm).

Старая разводка



Новая разводка





Сообщение отредактировал serglg - Nov 28 2017, 08:36

[serglg]

у меня в конечном итоге предполагается 40 ампер ток заряда. Это при напряжении заряда около 15 вольт.
Выше 95% КПД получить не надеюсь. Т.е. надо данному модулю рассеять около 30 Вт (минимум).
Никак без серьезного радиатора не получится. А учитывая, что таких модулей будет в корпусе 4 штуки, то и вентилятор вероятен.
Я сначала думал, что придется параллелить каждый транзистор. Но ценник сразу прыгает. Да и с разводкой и с устойчивостью всё еще хуже.
Отсюда пришлось с ТО-220 уходить на ТО-247.
Я видел готовые зарядники на 30 А. Там или ТО-220 (2 штуки параллельно) или ТО-247.
Выбирая между наносекундами, нанокулонами, пикофарадами с одной стороны и вольтами, амперами, омами с другой вышел на IRFP4321.
У него главный недостаток - проходная емкость 82 пФ. Из-за этого эффект Миллера во весь рост.
Есть такие же МОСФЕТы, но с 5 пФ. Но там сразу цена в 3 раза.

Теперь с диагональю.
Я вчера накидал вроде всё по другому. Чтобы входное напряжение с одной стороны платы, а аккумулятор - с другой.
Но всё равно керамика прям на ножках транзисторов в одной диагонали не получается. Они же геометрически всё равно в разных углах платы.
Исходя на питания драйверов (драйвера - от разных источников) никак я не могу их рядом поставить.


У меня на плате, даже если не учитывать отдельное питание управляющих входов драйверов (+5В) и выходных частей драйверов (+10...15В), еще 4 линии питания - входное напряжение и напряжение аккумулятора. Общего провода у них нет.
На каждый аккумулятор в батареи (соединены последовательно) - свой отдельный такой модуль. У них общее - входное напряжение.


PS. Всё это написал, а потом глянул внимательно на вашу картинку. А так я еще не пробовал - 1 мкФ на полумост.
Сейчас попробую.