EEPROM в STM32L151 Опции

[Baser]

Читаю описание работы с EEPROM в STM32L151 и не могу понять некоторых вещей:

1. Пишут, что очищается слово записью по нужному адресу значения 0x00000000
То есть чистая EEPROM и FLASH в серии L1 имеет нулевые значения, а не общепринятые единицы?
Нигде в документации прямого указания на это не заметил.

2. Есть команды для EEPROM очистки слова (4 байта) и двойного слова (8 байт)
и есть туча команд записи от одного байта до восьми байтов с различными вариациями.
При этом при записи одного байта или полуслова (2 байта) все равно должно стираться целое слово (4 байта).
Так зачем эти команды?
Или я не понимаю документацию и можно дозаписывать слово по одному байту?

3. Еще там есть упоминание вскользь о записи по невыровненному адресу, что длительность операции будет больше.
"When programming Data Word or Data Half-word at non-aligned addresses, the write operation may take more than 1 tprog time"
Но опять никаких подробностей.
Что будет при записи по невыровненному адресу в два слова, где часть байт уже записана, а часть чистые, и в эту чистую часть я командой быстрой записи пишу данные?
А если пишу не быстрой, а обычной командой - остальные байты сотрутся или нет?

Странная документация

[AHTOXA]

Читаю описание работы с EEPROM в STM32L151 и не могу понять некоторых вещей:

1. Пишут, что очищается слово записью по нужному адресу значения 0x00000000
То есть чистая EEPROM и FLASH в серии L1 имеет нулевые значения, а не общепринятые единицы?
Нигде в документации прямого указания на это не заметил.

Её вообще не надо стирать. Просто пишите новое значение, и всё. Думаю, все эти их изыски про стирание потому, что они свалили в кучу EEPROM и FLASH. Попытались единообразно описать.

2. Есть команды для EEPROM очистки слова (4 байта) и двойного слова (8 байт)

Что за команды такие?

[Baser]

Её вообще не надо стирать. Просто пишите новое значение, и всё. Думаю, все эти их изыски про стирание потому, что они свалили в кучу EEPROM и FLASH. Попытались единообразно описать.

Разобрался, разбирая функции HAL и тестируя на реальной плате.

Действительно, они свалили в кучу описание работы с EEPROM всего семейства L1, поэтому не слишком было понятно.
Ограничение есть только для чипов Cat.1 с самым малым объемом памяти, там стирать можно только по выровненному слову (4 байта).
Для всех новых серий Cat.2 и выше никаких ограничений вообще нет, можно делать все как для обычной 8-и битной EEPROM.

Я тестил на Cat.3 (STM32L151RC). Стирания как такового нет, просто запись нулей.
Писать можно любые значения поверх любых старых, длина 1, 2, 4 байта, с любым смещением.
Из настроек оказался только один флаг, который задает обязательное стирание, даже когда там нули.

Одна печалька, errata говорит, что не получилось сделать область EEPROM лучше чем остальную FLASH.
Число перезаписей тоже только 100К+