насыщение транзистора, работа в ключевом режиме Опции

[Метценгерштейн]

Немного теории. Хочу до конца прояснить переход транзистора в режим насыщения. Схема с ОЭ. Допустим, R коллектора у нас 120 Ом. U коллектора 12В. Максимальный ток коллектора 100 мА. Грубо. Падение КЭ не учитываю.
h21э пусть 70. Как правильно рассчитать ток базы, необходимый для перевода транзистор в ключевой режим, в режим насыщения? Как я себе это представляю- беру график ВАХ с токами базы, по оси Х откладываю точку 12 Вольт. По Y откладываю мой ток 100 мА. Провожу наклонную. Или еще проще- раз ток у меня 100 мА, то рассчитываю ток базы: 100/70= 1,5 мА. Получается, что для разного тока коллектора будет разный ток базы, чтобы вогнать в режим насыщения? Или он один- ток базы насыщения на весь транзистор? Тут немного плыву, подскажите.

[Метценгерштейн]

Спасибо. А насыщать как глубоко надо? Вот есть В =70. Есть мои заданные параметры (100 мА ток коллектора) Сколько из практики оптимально в базу, чтобы гарантированно открылся и не перенасытился? И я правильно понимаю, что для 200 мА данный транзистор не будет в насыщении? Вообще само насыщение- это как попроще объяснить можно?

[Александр1]

Вообще само насыщение- это как попроще объяснить можно?

Это когда больше не открывается
Когда при увеличении тока базы напряжение коллектор-эмиттер уже не уменьшается.

А насыщать как глубоко надо? ... Сколько из практики оптимально в базу, чтобы гарантированно открылся и не перенасытился?

Ток базы выбрать с таким запасом, чтобы при изменении температуры, разброса параметров транзисторов и др. условий транзистор гарантировано заходил в насыщение. "Перенасыщение" скажется на времени закрывания транзистора. Чтобы ускорить переключение транзистора применяют форсирующие цепи: на фронте импульса ток базы избыточен, а затем - на грани выхода из насыщения. Но лучше чуть лишнего в базу подать, чем транзистор выйдет из насыщения и в активном режиме начнет греться, да и амплитуда напряжения на выходе ключа уменьшится (из-за некоторого закрытия транзистора).