насыщение транзистора, работа в ключевом режиме Опции

[Метценгерштейн]

Немного теории. Хочу до конца прояснить переход транзистора в режим насыщения. Схема с ОЭ. Допустим, R коллектора у нас 120 Ом. U коллектора 12В. Максимальный ток коллектора 100 мА. Грубо. Падение КЭ не учитываю.
h21э пусть 70. Как правильно рассчитать ток базы, необходимый для перевода транзистор в ключевой режим, в режим насыщения? Как я себе это представляю- беру график ВАХ с токами базы, по оси Х откладываю точку 12 Вольт. По Y откладываю мой ток 100 мА. Провожу наклонную. Или еще проще- раз ток у меня 100 мА, то рассчитываю ток базы: 100/70= 1,5 мА. Получается, что для разного тока коллектора будет разный ток базы, чтобы вогнать в режим насыщения? Или он один- ток базы насыщения на весь транзистор? Тут немного плыву, подскажите.

[Метценгерштейн]

Спасибо. А насыщать как глубоко надо? Вот есть В =70. Есть мои заданные параметры (100 мА ток коллектора) Сколько из практики оптимально в базу, чтобы гарантированно открылся и не перенасытился? И я правильно понимаю, что для 200 мА данный транзистор не будет в насыщении? Вообще само насыщение- это как попроще объяснить можно?

[Александр1]

Вообще само насыщение- это как попроще объяснить можно?

Это когда больше не открывается
Когда при увеличении тока базы напряжение коллектор-эмиттер уже не уменьшается.

А насыщать как глубоко надо? ... Сколько из практики оптимально в базу, чтобы гарантированно открылся и не перенасытился?

Ток базы выбрать с таким запасом, чтобы при изменении температуры, разброса параметров транзисторов и др. условий транзистор гарантировано заходил в насыщение. "Перенасыщение" скажется на времени закрывания транзистора. Чтобы ускорить переключение транзистора применяют форсирующие цепи: на фронте импульса ток базы избыточен, а затем - на грани выхода из насыщения. Но лучше чуть лишнего в базу подать, чем транзистор выйдет из насыщения и в активном режиме начнет греться, да и амплитуда напряжения на выходе ключа уменьшится (из-за некоторого закрытия транзистора).

[skyv]

...
скажется на времени закрывания транзистора. Чтобы ускорить переключение транзистора
...

Время выхода ключа из режима насыщения зависит от соотношения тока коллектора и тока базы это так, но часто требуется просто надежно открыть ключ.

В технических характеристиках на транзистор, как правило, приводятся статические характеристики для режима насыщения, т.е. зависимость Uк-э нас. от тока коллектора.
При этом характеристики снимаются для различных коэффициентов насыщения (Iк/Iб). Его значение может быть от 5 до 20 и оно всегда меньше h21э (статического коэффициента передачи).
Вот по этим характеристикам Вы и должны определиться с необходимой и достаточной величиной тока базы.
Даже при отсутствии характеристик производитель всегда приводит максимальное значение
Uк-э нас. для определенного режима.

Вот пример характеристик на биполярные транзисторы BCX54 ...- BCX56...
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BCX5...11589d20fda0368
См. стр.2 и график Collector-emitter saturation voltage.

DC current gain
IC= 500 mA, VCE= 2 V hFE 25 - -

Collector-emitter saturation voltage
IC= 500 mA, IB= 50 mA VCEsat - - 0.5V